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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【交流】关于LED工艺中ITO工艺的探讨！
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415131606

铁杆木虫 (文坛精英)

黑风堂堂主-小乖猪

[交流] 【交流】关于LED工艺中ITO工艺的探讨！ 已有7人参与

在LED工艺中，由于电流横向扩展和透光性的原因，一般在LED-P电极中使用ITO（一般由于掺杂粒子浓度的原因，P层的空穴浓度比N层载流子的浓度低一到两个数量级）。

做了一张传统蓝光LED的工艺图。上面绿色之内的部分即为ITO，P电极一部分在ITO上面，一部分在GaN-p上面。想和小木虫里的虫友们讨论一下关于ITO薄膜的厚度对于电流横向扩展的作用以及希望大家给我推荐一些关于这个方面的文献和资料！

[ Last edited by 415131606 on 2011-4-14 at 22:07 ]
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1楼 2011-04-14 22:06:08
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415131606

铁杆木虫 (文坛精英)

黑风堂堂主-小乖猪
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Originally posted by 211985 at 2011-04-15 23:51:58:
P层的主要载流子是空穴
N层的主要载流子是电子
您的意思是
P层的空穴浓度比N层的自由电子浓度低?

还有,没有看到工艺方面的介绍
只有示意图
是否可以具体说说

[ Last edited by 211985 on 2011 ...

GaN中P层一般掺Mg，而N层一般掺Si，由于Mg的电离能比较大，所以直接导致P层中的空穴比较少！
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4楼2011-04-16 09:38:06
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铁杆木虫 (文坛精英)

黑风堂堂主-小乖猪
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Originally posted by 鹰羽龙 at 2011-04-18 18:36:41:
有意思，不知道LZ说的横向扩展是指载流子由电极扩散向PN界面还是说载流子在电极/半导体界面方向的扩散？

这样的结构，P电极包括上面的ITO和圆形的电极，N电极仅仅为下面的GaN-N，横向扩展我觉得是载流子在电极/半导体界面方向的扩散
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8楼2011-04-18 19:16:14
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铁杆木虫 (文坛精英)

黑风堂堂主-小乖猪
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Originally posted by 夕阳西下 at 2011-04-17 11:06:14:
横向扩散的原因是什么，是由于外加横向电场吗？

横向电场
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9楼2011-04-22 20:24:24
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铁杆木虫 (文坛精英)

黑风堂堂主-小乖猪
夕阳西下: 自己试出来的，重复多次都是如此吗？ 2011-04-24 09:51:55
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Originally posted by 夕阳西下 at 2011-04-23 11:59:46:
厚度越薄当然扩散越明显了。如果厚度大，表面载流子浓度就会渗透到体内，所以界面浓度降低，自然扩散不明显。

但是在事实GaN LED芯片研发的工程中并不是LED表层的ITO越薄越好，我是试出来的，但是不能解释其中的缘由！
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11楼2011-04-23 19:02:19
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415131606

铁杆木虫 (文坛精英)

黑风堂堂主-小乖猪
引用回帖:
Originally posted by 415131606 at 2011-04-23 19:02:19:
但是在事实GaN LED芯片研发的工程中并不是LED表层的ITO越薄越好，我是试出来的，但是不能解释其中的缘由！

恩。我现在在一家LED公司做的就是GaN lED工艺的研发
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12楼2011-04-24 19:37:05
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415131606

铁杆木虫 (文坛精英)

黑风堂堂主-小乖猪
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1263737楼: Originally posted by majieyuan at 2012-05-16 17:28:05:
先回答您一个我能确保正确的答案：ITO的厚度（无论何种成膜方式），在1100~1300A，2200~2400A及3300~3500A这三个区间会有T%的Peak位置，故蓝光LED界常会选用这三个厚度区间的ITO。
接下来，选择厚度，要考虑chip ...

芯片的设计不一样，这个是0709小尺寸的
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16楼2012-05-18 16:03:52
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