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铁杆木虫 (文坛精英)

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[交流] 【交流】关于LED工艺中ITO工艺的探讨！已有7人参与

在LED工艺中，由于电流横向扩展和透光性的原因，一般在LED-P电极中使用ITO（一般由于掺杂粒子浓度的原因，P层的空穴浓度比N层载流子的浓度低一到两个数量级）。

做了一张传统蓝光LED的工艺图。上面绿色之内的部分即为ITO，P电极一部分在ITO上面，一部分在GaN-p上面。想和小木虫里的虫友们讨论一下关于ITO薄膜的厚度对于电流横向扩展的作用以及希望大家给我推荐一些关于这个方面的文献和资料！

[ Last edited by 415131606 on 2011-4-14 at 22:07 ]

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1楼 2011-04-14 22:06:08

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引用回帖:

Originally posted by 211985 at 2011-04-15 23:51:58:
P层的主要载流子是空穴
N层的主要载流子是电子
您的意思是
P层的空穴浓度比N层的自由电子浓度低?

还有,没有看到工艺方面的介绍
只有示意图
是否可以具体说说

[ Last edited by 211985 on 2011 ...

GaN中P层一般掺Mg，而N层一般掺Si，由于Mg的电离能比较大，所以直接导致P层中的空穴比较少！