| 查看: 2020 | 回复: 2 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【求助】VASP算CdSe量子点的能隙
|
|||
|
我想用VASP +U算GaN量子点的能隙。可是得出来的能隙非常小，只有0.1eV，请教下大家，这类的计算有什么需要注意的么？ 我计算的步骤是：首先拟合zinc-blende GaN的晶格常数，构建量子点超晶胞的POSCAR（设置晶胞基矢时，给了10埃的真空层），然后驰豫原子位置，再自洽计算，最后用得出的CHG和CHGCAR算能带。 驰豫的INCAR是： SYSTEM = GaN ENCUT = 380 ISTART = 0 ICHARG = 2 ISMEAR = 0 EDIFF = 1E-5 PREC = Accurate LREAL= Auto LMAXMIX = 4 LDAU = .TURE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = 2 -1 LDAUU = 7.0 0 LDAUJ = 1.0 0 LDAUPRINT = 0 驰豫的KPOINTS是： Monkhorst Pack 0 Monkhorst Pack 1 1 1 0 0 0 算能带的INCAR是： SYSTEM = GaN ENCUT = 380 ISTART = 1 ICHARG = 11 ISMEAR = 0 PREC = Accurate LREAL= Auto LMAXMIX = 4 LDAU = .TURE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = 2 -1 LDAUU = 7.0 0 LDAUJ = 1.0 0 LDAUPRINT = 0 我不知道超晶胞的KPOINTS文件应该怎么写，就只算了GAMMA点的（KPOINTS太多的话算起来要要花很久），加上GaN本身也是直接带隙材料，所以只算gamma点的能带应该能反应整个量子点的带隙。 上面的方法有哪些错了，麻烦大家讨论一下，谢谢啦！ |
回复此楼» 猜你喜欢
能否申诉？
已经有3人回复
-
有多少人是今天查系统知道结果的？
已经有19人回复
-
找导师
已经有7人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有5人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有6人回复
-
有没有仍没收到信息的
已经有7人回复
-
国社科又开始会评了，不知道这次命运如何
已经有4人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有8人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- CdSe/CdS核壳量子点的摩尔浓度
已经有8人回复
- CdSe量子点合成
已经有28人回复
- 知道Cd的浓度（ug/L），怎么计算出CdSe/ZnS量子点的摩尔浓度
已经有7人回复
- CdSe量子点的定量问题。
已经有13人回复
- VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正？
已经有5人回复
- VASP计算能带时是否读取WAVECAR
已经有16人回复
- vasp计算中如何比较掺杂前后结合能
已经有13人回复
- vasp计算：优化能收敛，但同样的设置静态计算不收敛
已经有3人回复
- vasp计算掺杂体系的形成能
已经有7人回复
- 【求助】新手求助vasp计算氧分子结合能的问题
已经有12人回复
3楼2011-04-28 22:10:06
2楼2011-04-19 02:14:33
