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【求助】VASP算CdSe量子点的能隙
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我想用VASP +U算GaN量子点的能隙。可是得出来的能隙非常小，只有0.1eV，请教下大家，这类的计算有什么需要注意的么？ 我计算的步骤是：首先拟合zinc-blende GaN的晶格常数，构建量子点超晶胞的POSCAR（设置晶胞基矢时，给了10埃的真空层），然后驰豫原子位置，再自洽计算，最后用得出的CHG和CHGCAR算能带。 驰豫的INCAR是： SYSTEM = GaN ENCUT = 380 ISTART = 0 ICHARG = 2 ISMEAR = 0 EDIFF = 1E-5 PREC = Accurate LREAL= Auto LMAXMIX = 4 LDAU = .TURE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = 2 -1 LDAUU = 7.0 0 LDAUJ = 1.0 0 LDAUPRINT = 0 驰豫的KPOINTS是： Monkhorst Pack 0 Monkhorst Pack 1 1 1 0 0 0 算能带的INCAR是： SYSTEM = GaN ENCUT = 380 ISTART = 1 ICHARG = 11 ISMEAR = 0 PREC = Accurate LREAL= Auto LMAXMIX = 4 LDAU = .TURE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = 2 -1 LDAUU = 7.0 0 LDAUJ = 1.0 0 LDAUPRINT = 0 我不知道超晶胞的KPOINTS文件应该怎么写，就只算了GAMMA点的（KPOINTS太多的话算起来要要花很久），加上GaN本身也是直接带隙材料，所以只算gamma点的能带应该能反应整个量子点的带隙。 上面的方法有哪些错了，麻烦大家讨论一下，谢谢啦！ |
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