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lichain

银虫 (初入文坛)

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[交流] 【求助】VASP算CdSe量子点的能隙

我想用VASP +U算GaN量子点的能隙。可是得出来的能隙非常小，只有0.1eV，请教下大家，这类的计算有什么需要注意的么？

我计算的步骤是：首先拟合zinc-blende GaN的晶格常数，构建量子点超晶胞的POSCAR（设置晶胞基矢时，给了10埃的真空层），然后驰豫原子位置，再自洽计算，最后用得出的CHG和CHGCAR算能带。
驰豫的INCAR是：
SYSTEM = GaN
ENCUT = 380
ISTART = 0
ICHARG = 2
ISMEAR = 0
EDIFF = 1E-5
PREC = Accurate
LREAL= Auto
LMAXMIX = 4
LDAU = .TURE.
LDAUTYPE = 2
LDAUL = 2 -1
LDAUU = 7.0 0
LDAUJ = 1.0 0
LDAUPRINT = 0

驰豫的KPOINTS是：
Monkhorst Pack
0
Monkhorst Pack
1 1 1
0 0 0

算能带的INCAR是：
SYSTEM = GaN
ENCUT = 380
ISTART = 1
ICHARG = 11
ISMEAR = 0
PREC = Accurate
LREAL= Auto
LMAXMIX = 4
LDAU = .TURE.
LDAUTYPE = 2
LDAUL = 2 -1
LDAUU = 7.0 0
LDAUJ = 1.0 0
LDAUPRINT = 0

我不知道超晶胞的KPOINTS文件应该怎么写，就只算了GAMMA点的（KPOINTS太多的话算起来要要花很久），加上GaN本身也是直接带隙材料，所以只算gamma点的能带应该能反应整个量子点的带隙。

上面的方法有哪些错了，麻烦大家讨论一下，谢谢啦！

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