版块导航
正在加载中...
客户端APP下载
论文辅导
申博辅导
登录
注册
帖子
帖子
用户
本版
应《网络安全法》要求,自2017年10月1日起,未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用,请尽快对帐号进行手机号验证,感谢您的理解与支持!
24小时热门版块排行榜
>
论坛更新日志
(405)
>
虫友互识
(40)
>
休闲灌水
(19)
>
导师招生
(17)
>
硕博家园
(7)
>
博后之家
(4)
>
教师之家
(4)
>
考博
(4)
>
论文投稿
(4)
>
招聘信息布告栏
(3)
>
公派出国
(3)
>
功能材料
(2)
>
论文道贺祈福
(2)
>
考研
(2)
>
材料工程
(1)
>
留学生活
(1)
小木虫论坛-学术科研互动平台
»
材料区
»
微米和纳米
»
微纳器件
»
【请教】场效应管纳米器件测试
11
1/1
返回列表
查看: 1471 | 回复: 10
只看楼主
@他人
存档
新回复提醒
(忽略)
收藏
在APP中查看
fmgao
金虫
(小有名气)
应助: 0
(幼儿园)
金币: 1067.9
帖子: 144
在线: 68.5小时
虫号: 285697
[交流]
【请教】场效应管纳米器件测试
测单根纳米线场效应管器件,没有数据,测试人说是纳米线与电极接触不好,有哪位同行做过这样的实验,是不是需要热处理,没有真空炉,只有气氛炉,气氛炉可以吗,热处理温度是多少呀,怎么样才能有可靠的数据测出来呀?
回复此楼
» 猜你喜欢
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有235人回复
» 本主题相关商家推荐:
(我也要在这里推广)
高级回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
碳纳米管粉体的电阻率如何测试?
已经有6人回复
请教交流阻抗测试?以及碳纳米管、离子液体的电导率?
已经有8人回复
【求助】测单根纳米线场效应管器件
已经有5人回复
【请教】场效应管是如何通过栅压调节源漏电流的
已经有7人回复
» 抢金币啦!回帖就可以得到:
查看全部散金贴
以色列理工-生物质塑料等催化转化及流体力学方向---全奖博士研究生和科研助理
+
2
/92
加拿大/英属哥伦比亚大学曹彦凯课题组招收全奖博士/博后 [机器学习/优化/控制方向]
+
1
/84
湘潭大学化学学院陈华杰教授课题组招收有机/高分子方向的博士研究生
+
1
/81
中国科学技术大学 精准智能化学重点实验室 武建昌课题组招聘博士后
+
1
/79
同济大学 物理科学与工程学院 陈振跃(国家高层次青年人才) 课题组招聘博士后
+
1
/71
Call for papers,征稿
+
1
/57
双一流大学湘潭大学“化工过程模拟与强化”国家地方联合工程研究中心招收各类博士生
+
1
/31
中南大学冶金与环境学院陈伟老师招收环境科学与工程2026年博士生1人
+
1
/31
北京理工大学国家杰青梁军教授课题组招聘2026级博士研究生
+
1
/28
南京航空航天大学航天学院黄护林教授课题组博士研究生招生(工程热物理专业)
+
1
/16
【陕西师范大学】催化化学课题组2026年招收博士后/讲师/副高
+
1
/9
哈尔滨工业大学(深圳)赵怡潞课题组诚招博士后
+
1
/7
上海大学人工智能研究院徐梁教授课题组招聘博士(控制/机器视觉/机器人导航操作方向)
+
1
/7
海南大学化学院 招聘 材料与电化学方向——研究助理,博士(2026年入学)
+
1
/7
海南大学国家高层次人才团队2026年博士招生
+
1
/6
诚招博士后及研究人员
+
1
/5
中山大学院士团队王来源教授课题组招聘博士后
+
2
/4
想替换掉环状DNA中心通道中的金属离子 如何替换才是正确操作
+
1
/4
同济大学高绍荣院士王冕课题组诚聘博士后
+
1
/3
有没有一款可以听文献的APP
+
1
/2
1楼
2011-01-15 09:49:18
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
mmsabina
铁杆木虫
(正式写手)
应助: 0
(幼儿园)
贵宾: 0.1
金币: 6808.8
帖子: 679
在线: 268.9小时
虫号: 65619
fmgao(金币+2): 2011-01-15 10:07:46
wandaohzl: 鼓励交流 2011-01-17 10:53:43
一般要退火,温度根据FET而定,
没有性能, 也可能纳米线没有接触到金属上,
你是用什么方法制作FET?
赞
一下
(1人)
回复此楼
高级回复
2楼
2011-01-15 09:53:15
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
fmgao
金虫
(小有名气)
应助: 0
(幼儿园)
金币: 1067.9
帖子: 144
在线: 68.5小时
虫号: 285697
回复
wandaohzl: 鼓励交流 2011-01-17 10:53:50
用电子束曝光制备电极
赞
一下
(1人)
回复此楼
3楼
2011-01-15 10:05:32
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
fmgao
金虫
(小有名气)
应助: 0
(幼儿园)
金币: 1067.9
帖子: 144
在线: 68.5小时
虫号: 285697
wandaohzl: 鼓励交流 2011-01-17 10:53:57
气氛炉子可以退吗,我用的是金电极,退火500度应该查不多吧?
赞
一下
(1人)
回复此楼
4楼
2011-01-15 10:07:30
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
newxw
银虫
(正式写手)
应助: 0
(幼儿园)
金币: 12.8
帖子: 401
在线: 124.9小时
虫号: 590374
可以再看纳米线场效应管器件的文献(很多的吧)
wandaohzl: 鼓励交流 2011-01-17 10:54:04
顺便,在本单位还是外单位测的?
赞
一下
(1人)
回复此楼
5楼
2011-01-16 02:32:23
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
xjajx
至尊木虫
(著名写手)
MN-EPI: 4
应助: 0
(幼儿园)
贵宾: 1.796
金币: 10465.4
帖子: 1967
在线: 495.2小时
虫号: 1134415
fmgao(金币+5): 2011-01-17 10:07:51
wandaohzl: 鼓励交流 2011-01-17 10:54:12
引用回帖:
Originally posted by
fmgao
at 2011-01-15 09:49:18:
测单根纳米线场效应管器件,没有数据,测试人说是纳米线与电极接触不好,有哪位同行做过这样的实验,是不是需要热处理,没有真空炉,只有气氛炉,气氛炉可以吗,热处理温度是多少呀,怎么样才能有可靠的数据测出来 ...
一般需要退火,但很多也是不退火做出来的,接触电阻这个很难说,温度应该看你自己的材料和substrate的情况,我感觉更多时候是自己样品的问题,纳米尺度,虽然你宏观测或者TEM等都是晶体的,你怎么保证你测那根结晶性就好?所以多测一些
赞
一下
(1人)
回复此楼
6楼
2011-01-16 11:50:07
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
fmgao
金虫
(小有名气)
应助: 0
(幼儿园)
金币: 1067.9
帖子: 144
在线: 68.5小时
虫号: 285697
wandaohzl: 鼓励交流 2011-01-17 10:54:21
在什么炉子中退火呀
赞
一下
(1人)
回复此楼
7楼
2011-01-17 10:08:58
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
brent2009
木虫
(小有名气)
应助: 1
(幼儿园)
金币: 4670.5
帖子: 246
在线: 157.5小时
虫号: 827317
引用回帖:
Originally posted by
mmsabina
at 2011-01-15 09:53:15:
一般要退火,温度根据FET而定,
没有性能, 也可能纳米线没有接触到金属上,
你是用什么方法制作FET?
请问,测场效应一般用什么仪器?
用吉时利的数字源表可以测吗?
赞
一下
回复此楼
8楼
2011-03-13 19:46:28
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
mmsabina
铁杆木虫
(正式写手)
应助: 0
(幼儿园)
贵宾: 0.1
金币: 6808.8
帖子: 679
在线: 268.9小时
虫号: 65619
可以的,
回复此楼
9楼
2011-03-13 20:39:15
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
gxljp0305
银虫
(正式写手)
应助: 0
(幼儿园)
金币: 1867.6
帖子: 304
在线: 84.9小时
虫号: 1145244
★
小木虫(金币
+0.5
):给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
Originally posted by
fmgao
at 2011-01-15 09:49:18:
测单根纳米线场效应管器件,没有数据,测试人说是纳米线与电极接触不好,有哪位同行做过这样的实验,是不是需要热处理,没有真空炉,只有气氛炉,气氛炉可以吗,热处理温度是多少呀,怎么样才能有可靠的数据测出来 ...
请问用的什么样的基底?什么规格的?
赞
一下
(1人)
回复此楼
10楼
2011-04-26 09:58:14
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
有风无雨
金虫
(正式写手)
应助: 1
(幼儿园)
金币: 701.4
帖子: 450
在线: 63.9小时
虫号: 928165
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
请问你们制作FET时,源漏极下面必须要用扩散或者离子注入制作一个n+或p+区(以实现电极和半导体层之间的欧姆接触)吗?有的FET采用底栅有的采用顶栅,怎么选择,各有什么好处呢?
赞
一下
回复此楼
11楼
2013-03-02 17:10:22
已阅
回复此楼
关注TA
给TA发消息
送TA红花
TA的回帖
相关版块跳转
材料综合
材料工程
微米和纳米
晶体
金属
无机非金属
生物材料
功能材料
复合材料
我要订阅楼主
fmgao
的主题更新
11
1/1
返回列表
如果回帖内容含有宣传信息,请如实选中。否则帐号将被全论坛禁言
普通表情
龙
兔
虎
猫
高级回复
(可上传附件)
百度网盘
|
360云盘
|
千易网盘
|
华为网盘
在新窗口页面中打开自己喜欢的网盘网站,将文件上传后,然后将下载链接复制到帖子内容中就可以了。
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭
确定