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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【请教】场效应管纳米器件测试
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fmgao

金虫 (小有名气)

[交流] 【请教】场效应管纳米器件测试

测单根纳米线场效应管器件，没有数据，测试人说是纳米线与电极接触不好，有哪位同行做过这样的实验，是不是需要热处理，没有真空炉，只有气氛炉，气氛炉可以吗，热处理温度是多少呀，怎么样才能有可靠的数据测出来呀？
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1楼2011-01-15 09:49:18
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有风无雨

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
请问你们制作FET时，源漏极下面必须要用扩散或者离子注入制作一个n+或p+区（以实现电极和半导体层之间的欧姆接触）吗？有的FET采用底栅有的采用顶栅，怎么选择，各有什么好处呢？
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11楼2013-03-02 17:10:22
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mmsabina

铁杆木虫 (正式写手)
fmgao(金币+2): 2011-01-15 10:07:46
wandaohzl: 鼓励交流 2011-01-17 10:53:43
一般要退火，温度根据FET而定，
没有性能， 也可能纳米线没有接触到金属上，
你是用什么方法制作FET？
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2楼2011-01-15 09:53:15
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fmgao

金虫 (小有名气)

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wandaohzl: 鼓励交流 2011-01-17 10:53:50
用电子束曝光制备电极
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3楼2011-01-15 10:05:32
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fmgao

金虫 (小有名气)
wandaohzl: 鼓励交流 2011-01-17 10:53:57
气氛炉子可以退吗，我用的是金电极，退火500度应该查不多吧？
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4楼2011-01-15 10:07:30
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