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【求助】计算掺杂参数设置
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想用VASP计算一下GaN基半导体掺杂Gd元素后(用一个Gd原子替换掉一个Ga原子)的能带变化，计算时INCAR文件主要应该设置哪些参数啊？考虑自旋！选取的是32个原子的六方结构GaN SUPERCELL (2*2*2). 求解... 还有就是怎么确定最佳的替换位置？？ |
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215215(金币+1):谢谢参与
215215(金币+20):感谢您，金币送上，希望多多交流~~~ 2010-12-27 13:34:38
zzy870720z(金币+1):谢谢分享 2010-12-27 15:36:14
215215(金币+1):谢谢参与
215215(金币+20):感谢您，金币送上，希望多多交流~~~ 2010-12-27 13:34:38
zzy870720z(金币+1):谢谢分享 2010-12-27 15:36:14
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SYSTEM=GaN doping Gd ISTART=0 ICHARG=2 ISMEAR=-5 SIGMA=0.05 EDIFF=1E-5 EDIFFG=-1E-2 PREC=Accurate ISPIN=2 VOSKOWN=1 NSW=200 IBRION=2 POTIM=0.2 LREAL=Auto ALGO=V KPOINTS: Automatic 0 Monkhorst Pack 3 3 3 0 0 0 这个是我做半导体磁性掺杂的文件，仅供参考 [ Last edited by songdewang on 2010-12-27 at 12:29 ] |
3楼2010-12-27 12:25:27
2楼2010-12-27 11:55:22
4楼2010-12-27 13:49:15
5楼2010-12-27 20:56:09
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