| 查看: 1136 | 回复: 4 | |||
[交流]
【求助】计算掺杂参数设置
|
|
想用VASP计算一下GaN基半导体掺杂Gd元素后(用一个Gd原子替换掉一个Ga原子)的能带变化,计算时INCAR文件主要应该设置哪些参数啊?考虑自旋!选取的是32个原子的六方结构GaN SUPERCELL (2*2*2). 求解... 还有就是怎么确定最佳的替换位置?? |
» 猜你喜欢
基金未中,这种答复是模板吗?
已经有3人回复
导师吐槽:我怎么摊上了这么个极品研究生!
已经有5人回复
有多少人是今天查系统知道结果的?
已经有17人回复
怎么看青基中了没有啊
已经有5人回复
梦想
已经有3人回复
面上合作单位盖章
已经有3人回复
看板上这么多中的,有点像50人群里49个人都是骗子的那种感觉……
已经有5人回复
基金不中,共勉
已经有7人回复
为什么 国际(地区)合作与交流项目 没有放榜?
已经有11人回复
让我中一个面上吧!
已经有17人回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
关于Castep费米能级位置的问题
已经有15人回复
SmCo掺杂计算参数和设置?
已经有7人回复
【求助】向大家请教Mn掺杂ZnO计算时的参数设置问题
已经有3人回复
【求助】siesta 计算DOS应该注意什么问题
已经有3人回复
【原创】关于结构弛豫设置及收敛判据选择的一点体会
已经有140人回复
【求助】CASTEP中的参数设置问题
已经有9人回复
【求助】低浓度掺杂
已经有10人回复
【活动】各种量子力学计算软件使用经验谈(回复就有奖励,讲述详细的奖励5-10金币)
已经有30人回复
2楼2010-12-27 11:55:22
★ ★
215215(金币+1):谢谢参与
215215(金币+20):感谢您,金币送上,希望多多交流~~~ 2010-12-27 13:34:38
zzy870720z(金币+1):谢谢分享 2010-12-27 15:36:14
215215(金币+1):谢谢参与
215215(金币+20):感谢您,金币送上,希望多多交流~~~ 2010-12-27 13:34:38
zzy870720z(金币+1):谢谢分享 2010-12-27 15:36:14
|
SYSTEM=GaN doping Gd ISTART=0 ICHARG=2 ISMEAR=-5 SIGMA=0.05 EDIFF=1E-5 EDIFFG=-1E-2 PREC=Accurate ISPIN=2 VOSKOWN=1 NSW=200 IBRION=2 POTIM=0.2 LREAL=Auto ALGO=V KPOINTS: Automatic 0 Monkhorst Pack 3 3 3 0 0 0 这个是我做半导体磁性掺杂的文件,仅供参考 [ Last edited by songdewang on 2010-12-27 at 12:29 ] |
3楼2010-12-27 12:25:27
4楼2010-12-27 13:49:15
5楼2010-12-27 20:56:09









回复此楼
投票: