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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】计算掺杂参数设置
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215215

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】计算掺杂参数设置

想用VASP计算一下GaN基半导体掺杂Gd元素后(用一个Gd原子替换掉一个Ga原子)的能带变化，计算时INCAR文件主要应该设置哪些参数啊？考虑自旋！选取的是32个原子的六方结构GaN  SUPERCELL (2*2*2).  求解...
还有就是怎么确定最佳的替换位置？？
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1楼 2010-12-26 22:27:29
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215215

银虫 (小有名气)
怎么没人给指教下呢？？
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2楼2010-12-27 11:55:22
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songdewang

金虫 (小有名气)
★ ★
215215(金币+1):谢谢参与
215215(金币+20):感谢您，金币送上，希望多多交流~~~ 2010-12-27 13:34:38
zzy870720z(金币+1):谢谢分享 2010-12-27 15:36:14
引用回帖:
Originally posted by 215215 at 2010-12-26 22:27:29:
想用VASP计算一下GaN基半导体掺杂Gd元素后(用一个Gd原子替换掉一个Ga原子)的能带变化，计算时INCAR文件主要应该设置哪些参数啊？考虑自旋！选取的是32个原子的六方结构GaN  SUPERCELL (2*2*2).  求解...
还有就是 ...

SYSTEM=GaN doping Gd
ISTART=0
ICHARG=2
ISMEAR=-5
SIGMA=0.05
EDIFF=1E-5
EDIFFG=-1E-2
PREC=Accurate
ISPIN=2
VOSKOWN=1
NSW=200
IBRION=2
POTIM=0.2
LREAL=Auto
ALGO=V

KPOINTS:
Automatic
0
Monkhorst Pack
3 3 3
0 0 0
这个是我做半导体磁性掺杂的文件，仅供参考

[ Last edited by songdewang on 2010-12-27 at 12:29 ]
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3楼2010-12-27 12:25:27
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215215

银虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by songdewang at 2010-12-27 12:25:27:

SYSTEM=GaN doping Gd
ISTART=0
ICHARG=2
ISMEAR=-5
SIGMA=0.05
EDIFF=1E-5
EDIFFG=-1E-2
PREC=Accurate
ISPIN=2
VOSKOWN=1
NSW=200
IBRION=2
POTIM=0.2
LREAL=Auto
ALGO=V

KPOINTS:
Automat ...

请问为什么EDIFFG取负值？
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4楼2010-12-27 13:49:15
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songdewang

金虫 (小有名气)
★
bingmou(金币+1):好的，感谢分享 2010-12-27 21:02:37
引用回帖:
Originally posted by 215215 at 2010-12-27 13:49:15:


请问为什么EDIFFG取负值？

这个你参考下手册，取负的容易收敛，当然取正的也可以
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5楼2010-12-27 20:56:09
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