| 查看: 666 | 回复: 2 | |||
[交流]
【请教】微纳加工中掩膜与模式请教
|
|
对于微纳米加工，小弟有一点不明白，在很多的加工（RIE，FIB ，ICP等等）都是采用掩膜曝光的方式，其中critical dimension都是由于掩膜来决定的，那么上面的模式中FIB，聚焦离子束聚焦下来又有什么用途啊？个人觉得FIB 与ICP的电极应该是很小的，我老是在两种感觉中判断不出来对错，一个是critical dimension是由mask曝光后的掩膜决定的，二是critical dimension是直接由小型的探头，尤其是FIB等聚焦离子束等直接决定的，但是要是这样其效率就会很低。 我这里的critical dimension可以理解是最小的线宽，比如说是线的宽度，关键尺寸吧。 请教各位大牛不吝指教。谢谢。 |
回复此楼» 猜你喜欢
求助一篇MEMS散热器件文献
已经有0人回复
-
材化专业SCI论文（职称评定）
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有51人回复
-
材料化学专业SCI论文（职称评定）
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 中科院理化所段宣明有机纳米光子学课题组——飞秒激光微纳加工文献集
已经有23人回复
- 真菌鉴定培养基
已经有8人回复
- 请问 有荚膜的细菌是否比无荚膜的细菌毒性大？
已经有4人回复
- 有哪位大侠做过微滤膜表面预涂层的啊？高手们进来指点一二呗，涂层物质，厚度
已经有3人回复
- 微纳加工中常见材料的腐蚀/刻蚀速率
已经有124人回复
- 求助培养四膜虫的问题，多谢，急
已经有88人回复
- 跪求研究通晓生物膜和QS系统的高人指点一下啊
已经有5人回复
- 【求助/交流】古细菌的细胞膜破碎（古细菌没有细胞壁）
已经有11人回复
- 【求助/交流】做过膜蛋白表达的看过来
已经有12人回复
- 【求助】请指教做过微球制剂工业化的战友-PLGA油相过膜粘度问题
已经有5人回复
- 【求助】我是菜鸟，请教用ms预测微纳晶体的生长情况
已经有8人回复
- 【求助】请教：关于纳滤膜的负截留现象！！
已经有4人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
威格科技：为化学合成打造全流程惰性气氛解决方案
+1/85
-
招聘机械领域专利代理人
+1/77
-
实验室富余
+1/73
-
新人投稿arxiv 需要cs.IT/CR大佬背书
+1/68
-
天津大学环境学院童银栋教授招收博士后（生源要素循环/温室效应/新污染物方向）
+1/33
-
无机非金属材料科学相关 实习研发人员招聘
+1/32
-
上海交通大学诚聘有机化学方向博士生/科研助理
+1/28
-
请问谁有2025最新影响因子Excel表？金币求助！
+1/27
-
哈工大（深圳）何自开团队诚招2027级化学工程与技术专业博士生
+1/26
-
南京航空航天大学招收27年力学硕士和博士生研究生
+1/14
-
硕士毕业9年的我，读博的想法日益强烈。。。。
+1/13
-
中科院理化所热声热机团队招聘电气工程专业(电机方向)博士后/特别研究助理
+1/13
-
浙江大学医学院附属第一医院招聘科研助理
+1/11
-
澳大利亚 Murdoch University 全奖博士招生（3个名额）地质化工冶金领域
+1/9
-
希望大家都高中！！
+1/7
-
同济大学环境学院肖倩课题组2026年补充招收推免生
+1/7
-
香港理工大学殷骏课题组诚聘1 名博士后以及2 名博士生
+1/4
-
天津大学张小岩教授团队招收2027级推免生（光电子能源、热管理材料与器件、微纳传感）
+1/4
-
请大家抽空欣赏一下我们网站的配图
+1/2
-
苏州大学能源学院管大秦课题组诚聘博士后及招收博士/硕士研究生
+1/2
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
xiaohunhun(金币+5):谢谢高手指教，受益很多。 2010-12-13 08:46:07
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
xiaohunhun(金币+5):谢谢高手指教，受益很多。 2010-12-13 08:46:07
 为什么沙发都留给我了呢，我纠结啊不知道是各位大牛不屑于回答呢还是都在忙？ 首先，肯定一下LZ对于CD的理解，两个理解都可以说对。不过一般来说，critical dimension是特征尺寸的意思，是指器件最小的结构的平面上某一维度上的尺寸。 一般是由掩膜版即mask决定的（LZ的第一个理解），当然像FIB和EBL这种无掩膜技术制备的微纳米结构其CD是由设计以及工艺决定的（第二个理解）。 另一方面，说mask的CD决定器件的CD又是不对的，因为现代的半导体FAB里采用投影式光刻，一般会用5X的浸润式透镜，所以器件的CD比掩膜版的CD小5X。而且目前的45纳米工艺中除了投影式浸润光刻还采用双曝光（Double exposure or double patterning）技术这时CD更不是光刻板的CD。简单解释一下Double exposur(还是英文精准，翻译一般很难达到“信、达、雅”)，即193纳米光源可以制作90纳米的结构，然而，当对芯片进行45纳米位移的套刻后，会产生一个最厚的台阶，而且其只有45纳米宽。如果不好理解，可以在纸上画一画，先画一个代表90纳米宽的线条，然后再宽的方向上移动45纳米再画一个线条，这样重叠起来的部分不是45纳米吗？这个解决办法，使得人们不用在更短波长的光刻机系统上费多大功夫（要知道研究一个在更短波长下工作的光刻机的投入是多么的惊人！），所以应该说这种解决方案是非常非常的amazing！ 接着，在这里纠正一下LZ的一个认识上的错误。就是“RIE，FIB ，ICP等等都是采用掩膜曝光的方式”这句话，首先应该说语法和理解上都是错误的。RIE和ICP在原理上是老子和儿子的关系，长的都一样只是一代更比一代强。FIB和他们是表亲，有一定的关系但不是很像。 呵呵，扯远了！其实RIE和ICP是利用等离子体与材料反应来刻蚀材料，当然如果要产生一定的图案就需要有选择的刻蚀一部分保留一部分，这样就用了掩膜MASK。但是这里的MASK和光刻的MASK不是一个东西，概念上相通（所以老外都叫MASK，中国人应该说掩膜和掩膜板，注意这里有“板”这么个一字之差啊）。至于FIB，前面已经提到过是一种无掩膜工艺。它是利用电磁透镜对离子化的镓或者氦等元素的离子进行聚焦，这种高能束能够对材料产生物理轰击达到刻蚀作用。这样表亲之间的差别就来了，首先FIB是物理刻蚀而RIE和ICP更多的是利用化学反应使等离子体化的元素刻与被蚀材料发生反应，且产生易挥发的产物而达到刻蚀的作用。第二点不同是，FIB是顺序（sequence processing）的加工，而RIE和ICP是平行（parallel processing）进行的。 要说的太多了，一言难尽^..^ 改天在说吧！  |
2楼2010-12-13 04:22:45
3楼2010-12-13 08:59:33
