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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 【请教】微纳加工中掩膜与模式请教
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xiaohunhun

木虫 (著名写手)

[交流] 【请教】微纳加工中掩膜与模式请教

对于微纳米加工，小弟有一点不明白，在很多的加工（RIE，FIB ，ICP等等）都是采用掩膜曝光的方式，其中critical dimension都是由于掩膜来决定的，那么上面的模式中FIB，聚焦离子束聚焦下来又有什么用途啊？个人觉得FIB 与ICP的电极应该是很小的，我老是在两种感觉中判断不出来对错，一个是critical dimension是由mask曝光后的掩膜决定的，二是critical dimension是直接由小型的探头，尤其是FIB等聚焦离子束等直接决定的，但是要是这样其效率就会很低。
我这里的critical dimension可以理解是最小的线宽，比如说是线的宽度，关键尺寸吧。
请教各位大牛不吝指教。谢谢。
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1楼 2010-12-12 22:58:23
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xiaohunhun

木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by quanbaogang at 2010-12-13 04:22:45:
为什么沙发都留给我了呢，我纠结啊
不知道是各位大牛不屑于回答呢还是都在忙？
首先，肯定一下LZ对于CD的理解，两个理解都可以说对。不过一般来说，critical dimension是特征尺寸的意思，是指器件最小的结构的 ...

还有高手啊，能推荐两本不错的微纳加工的书籍么？
小弟在此谢过了、
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3楼2010-12-13 08:59:33
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