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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【求助】急求：关于FET制作与测量的问题，该是n型却p型
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laoli123

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】急求：关于FET制作与测量的问题，该是n型却p型

用N掺杂的碳纳米管做沟道，做FET，但发现开关比不高，而且更麻烦的是，竟然是P型的，而其他表征都证明掺杂没有问题，而别人的文献掺杂过后都是N型，哪位能给出个建议看看？非常感谢
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1楼 2010-11-27 21:11:29
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quanten

金虫 (著名写手)
★
laoli123(金币+1): 谢谢参与
这个问题我觉得你的器件工作在积累型还是反转型，你的器件应该都可以
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5楼2012-07-08 00:45:24
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zm999ren

金虫 (小有名气)
★
laoli123(金币+1):谢谢参与
不懂，不过感觉好囧
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2楼2010-11-27 21:23:29
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laoli123

金虫 (小有名气)
没人帮忙啊，自己顶一下
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3楼2010-12-03 08:58:14
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quanbaogang

木虫 (正式写手)
★
laoli123(金币+1):谢谢参与
laoli123(金币+1): 2010-12-17 10:21:40
以前也曾碰到过本应该是n型的晶体管却测出p型的问题，但是我们用的是有机半导体，估计是水氧的影响造成的。至于楼主的问题就不清楚了。也许两者背后存在着共同的其他原因，只是目前我们还没有这方面的解决方法。

期盼高人来指点！！
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4楼2010-12-03 19:43:44
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