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laoli123

金虫 (小有名气)


[交流] 【求助】急求:关于FET制作与测量的问题,该是n型却p型

用N掺杂的碳纳米管做沟道,做FET,但发现开关比不高,而且更麻烦的是,竟然是P型的,而其他表征都证明掺杂没有问题,而别人的文献掺杂过后都是N型,哪位能给出个建议看看?非常感谢
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laoli123

金虫 (小有名气)


没人帮忙啊,自己顶一下
3楼2010-12-03 08:58:14
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zm999ren

金虫 (小有名气)



laoli123(金币+1):谢谢参与
不懂,不过感觉好囧
2楼2010-11-27 21:23:29
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quanbaogang

木虫 (正式写手)



laoli123(金币+1):谢谢参与
laoli123(金币+1): 2010-12-17 10:21:40
以前也曾碰到过本应该是n型的晶体管却测出p型的问题,但是我们用的是有机半导体,估计是水氧的影响造成的。至于楼主的问题就不清楚了。也许两者背后存在着共同的其他原因,只是目前我们还没有这方面的解决方法。

期盼高人来指点!!
4楼2010-12-03 19:43:44
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quanten

金虫 (著名写手)



laoli123(金币+1): 谢谢参与
这个问题我觉得你的器件工作在积累型还是反转型,你的器件应该都可以
5楼2012-07-08 00:45:24
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