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【求助】二氧化硅退火开裂
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xiangqy
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注册: 2008-06-22
专业: 光子与光电子器件
[交流]
【求助】二氧化硅退火开裂
大家好,请教各位一个问题,我在硅片上长有1.9微米二氧化硅薄膜(热氧化法生长)上再用电子束镀膜方法镀上7-8百纳米的二氧化硅(镀膜时开烘烤200°C),最后将基片400度的烘烤处理,升温时间300min 保温90min,自然降温发现薄膜开裂。是什么原因啊。请指教。谢谢!
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2010-11-19 11:09:03
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木虫
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专业: 光学
xiangqy(金币+1): 2010-11-19 22:00:49
xiangqy(金币+1): 2010-11-25 20:08:58
是不是降温太快了?
自然降温不如设定降温的好。
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2楼
2010-11-19 14:21:22
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xiangqy(金币+1): 2010-11-19 22:00:53
xiangqy(金币+1): 2010-11-25 20:09:03
主要是升降温太快了造成的吧。
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天道酬勤!!!
3楼
2010-11-19 15:41:10
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xiangqy
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专业: 光子与光电子器件
引用回帖:
Originally posted by
_MIOIM_
at 2010-11-19 15:41:10:
主要是升降温太快了造成的吧。
我升温非常慢了,300min升到400度,保温90Min,自然降温
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4楼
2010-11-19 19:59:10
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