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xiaobai216新虫 (初入文坛)
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【求助】继续讨论关于形成能的问题
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以金刚石结构的64原子硅晶胞为例: 在64-atom supercell中构建加入一个间隙位的氧原子,计算间隙氧原子的形成能。按照形成能公式 Ef=E[Si64Oi]-sum_nμ, 其中E[Si64Oi]是掺杂后的缺陷体系的能量,n是体系中不同原子的个数,μ是体系中各种原子的化学势;则 Ef=E[Si64Oi]-64E[Si]-E[Oi] 1. 这种计算方法正确吗?是否要考虑电价的影响即形成能公式中加入Q项? 2.如果采用这种计算方式的话,需要考虑原子的化学势,则: 1) μ可用单个原子的能量来代替吗?计算Si的单原子能量能否用一个完整的硅晶胞 计算单点能后除以晶胞中的原子个数来得到?之前也有讨论说建立一个大的空立方格子,在格子中心放一个硅原子做能量计算,我比较了两种方法,发现所得的能量有比较大的差值; 2)如果化学势可以用单个原子的能量来代替的话,那单个氧原子的能量怎么来计 算?之前有讨论说建立大的空格子在中心放一个氧分子,计算的能量后除以2得单个氧原子的能量,对吗? [ Last edited by xiaobai216 on 2010-10-27 at 12:19 ] |
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14楼2013-10-16 16:13:35
cash_ms
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2楼2010-10-27 15:19:28

3楼2010-10-27 16:39:08
xiaobai216
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4楼2010-10-27 16:44:10













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