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clwyth

木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】钛硅分子筛 H2-TPR 表征问题

最近在做钛硅分子筛催化剂的表征,其中对钛硅分子筛负载贵金属的H2-TPR表征有一些疑问。总结来说,基本是先吹扫,后还原过程,查看过相应的文献,对吹扫和还原过程使用的气体,文献都不相同,且吹扫时间和还原时间,气体的流速均不同,那势必对相同的样品,采用不同的气体源得出的结果也不能作一比照。究竟是公说公有理,还是坚持自己的论述,道理讲得通就好。还请各位不吝赐教。
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lggm208

木虫 (正式写手)

clwyth(金币+6):确实是这样,只能尽量减少外因对其的影响,谢谢了 2010-09-17 08:48:32
引用回帖:
Originally posted by catzzzzz at 2010-09-16 21:31:10:
如果在这个领域并没有公认的表征方法,那么当然只要你的结果解释得通就可以。
不过对于TPR来说,不管是用什么惰性气体吹扫,不管还原过程用的是什么浓度的氢气,只要仪器经过校正,出来的结果应该是有可比性的吧 ...

楼上说的不错,但是根据实验结果来看,各种因素的影响并不是那么容易消去的,不同浓度的气体结果极有可能无法重复,因为导热系数的改变影响TCD的检测结果。建议所做实验尽量严格按照设定步骤进行,吹扫,升温还原等步骤尽量不变。所有条件包括每次的样品量都尽可能保持一致,这样才能有较真实的可比性,否则数据处理会遇到很多麻烦
注册八年,青春已去,情怀不变
3楼2010-09-16 21:52:36
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catzzzzz

禁虫 (小有名气)

clwyth(金币+6):看来真是比较内行的人呀,谢谢呀 2010-09-16 21:36:17
本帖内容被屏蔽

2楼2010-09-16 21:31:10
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qiaopeisheng

银虫 (正式写手)

clwyth(金币+1):大家共同学习 2010-09-20 17:13:35
条件一致,学习了!!
4楼2010-09-17 16:44:00
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tiaozaoer

新虫 (初入文坛)

我最近做TPR时总是炸管  你遇到这种问题了么
可以交流一下么
5楼2010-09-20 12:57:07
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