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clwyth

木虫 (著名写手)

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[交流] 【求助】钛硅分子筛 H2-TPR 表征问题

最近在做钛硅分子筛催化剂的表征，其中对钛硅分子筛负载贵金属的H2-TPR表征有一些疑问。总结来说，基本是先吹扫，后还原过程，查看过相应的文献，对吹扫和还原过程使用的气体，文献都不相同，且吹扫时间和还原时间，气体的流速均不同，那势必对相同的样品，采用不同的气体源得出的结果也不能作一比照。究竟是公说公有理，还是坚持自己的论述，道理讲得通就好。还请各位不吝赐教。

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1楼 2010-09-16 21:15:31

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catzzzzz

禁虫 (小有名气)

clwyth(金币+6):看来真是比较内行的人呀，谢谢呀 2010-09-16 21:36:17

本帖内容被屏蔽

2楼2010-09-16 21:31:10

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lggm208

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clwyth(金币+6):确实是这样，只能尽量减少外因对其的影响，谢谢了 2010-09-17 08:48:32

引用回帖:

Originally posted by catzzzzz at 2010-09-16 21:31:10:
如果在这个领域并没有公认的表征方法，那么当然只要你的结果解释得通就可以。
不过对于TPR来说，不管是用什么惰性气体吹扫，不管还原过程用的是什么浓度的氢气，只要仪器经过校正，出来的结果应该是有可比性的吧 ...

楼上说的不错，但是根据实验结果来看，各种因素的影响并不是那么容易消去的，不同浓度的气体结果极有可能无法重复，因为导热系数的改变影响ＴＣＤ的检测结果。建议所做实验尽量严格按照设定步骤进行，吹扫，升温还原等步骤尽量不变。所有条件包括每次的样品量都尽可能保持一致，这样才能有较真实的可比性，否则数据处理会遇到很多麻烦