| 查看: 4150 | 回复: 12 | |||||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||||||
vaspstudy银虫 (小有名气)
|
[交流]
【其他】缺陷形成能与电中性要求 已有5人参与
|
||||||||
S. B. Zhang PRL67(1991)2339中对电中性的要求是 其中左边第一性为缺陷电荷密度，第二项为电子浓度，第三项为空穴浓度；右边为有效掺杂水平。 而在S. B. Zhang PRB 47(1993) 6791中，张老师对电中性的描述却是  求对此有研究的虫友们帮忙解释一下，谢谢啊 |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 第一原理资料汇编 | 带电掺杂体系形成能 | vasp计算资料 | first principle |
| 杂七杂八 | 缺陷计算 |
» 猜你喜欢
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O54,科目全,可伽急
已经有5人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有5人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有5人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有4人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有5人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有5人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有6人回复
-
延安大学回应“副教授留绝笔信”：确已离世，正核实举报内容
已经有5人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有23人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 求助VASP 处理带电缺陷的问题！能量变化太大
已经有10人回复
- 2011年12月-Materials studio软件半导体缺陷形成能的计算 video/pdf讲义
已经有492人回复
- VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正？
已经有5人回复
- 缺陷结合能和形成能
已经有30人回复
- 缺陷形成能计算
已经有11人回复
- 缺陷D在q电子态下的形成能的计算
已经有8人回复
- 【求助】活性炭对弱极性和电中性的小分子有机物的吸附作用？？？
已经有5人回复
- 【求助】为什么半导体的电中性条件能够确定费米能级？
已经有9人回复
- 【求助】ZnO中的缺陷荷电状态怎么定
已经有11人回复
- 【原创】如何计算中性杂质的形成能
已经有66人回复
vaspstudy
银虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 434.6
- 散金: 8
- 帖子: 267
- 在线: 223.3小时
- 虫号: 601555
- 注册: 2008-09-13
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
3楼2010-09-13 20:37:53
江山8806
金虫 (小有名气)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 1175.9
- 散金: 5
- 红花: 1
- 帖子: 177
- 在线: 175小时
- 虫号: 769154
- 注册: 2009-05-13
- 性别: MM
- 专业: 污染控制化学
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
|
搭车问路： 对于带电的缺陷，比如失去一个O原子的氧化物，它还是电中性的，核电荷数等于电子数。但是有不少文献讨论缺陷带电的情况，我一直没有搞明白其物理图像。 超胞核电荷数设为Z,总电子数设为NELECT. 令NELECT=Z+n。如n=1，表示缺陷带一个负电荷，超胞也是带一个负电荷的。 有文献讨论n的具体数字（1，2，3，...），来看不同荷电情况下超胞的稳定性，能量最低的认为是最稳定的，所对应的n就是平衡带电电子数。 那么，指定超胞荷电数是通过NELECT参数来实现的？NELECT只能给出总电荷数，而不能具体指定缺陷位置（如原子空穴）电荷数。如果通过NELECT引入的过量电子（超过Z）是局域的，那超胞收敛后做电子布局，就可以找到电子局域到那个原子上了？ [ Last edited by 江山8806 on 2010-9-13 at 16:52 ] |
2楼2010-09-13 16:50:40
valenhou001
至尊木虫 (职业作家)
- 1ST强帖: 13
- 应助: 241 (大学生)
- 金币: 25701.7
- 散金: 602
- 红花: 166
- 帖子: 3782
- 在线: 873.8小时
- 虫号: 1007127
- 注册: 2010-04-27
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
cenwanglai(金币+1):谢谢侯老师回帖。这篇文献是讲得很好。 2010-09-14 09:17:15
cenwanglai(金币+1): 2010-09-14 09:18:15
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
cenwanglai(金币+1):谢谢侯老师回帖。这篇文献是讲得很好。 2010-09-14 09:17:15
cenwanglai(金币+1): 2010-09-14 09:18:15
|
建议做点缺陷的计算时，仔细读读这篇文献： J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004); doi:10.1063/1.1682673 (29 pages) First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides Chris G. Van de Walle1 and Jörg Neugebauer2 http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v95/i8/p3851_s1 这篇文献讲的很详细。 |
4楼2010-09-13 21:38:07
valenhou001
至尊木虫 (职业作家)
- 1ST强帖: 13
- 应助: 241 (大学生)
- 金币: 25701.7
- 散金: 602
- 红花: 166
- 帖子: 3782
- 在线: 873.8小时
- 虫号: 1007127
- 注册: 2010-04-27
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
5楼2010-09-13 21:43:51
