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apolloljy银虫 (小有名气)
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【求助】请问一个利用ICP刻蚀PI的方法 已有6人参与
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请教一个利用ICP刻蚀PI的方法 我的主要实验目的是在PI上光刻做出金膜图形,然后想利用PI做牺牲层采用ICP刻蚀方法将金膜图形最窄区域(2um宽)刻透(横向)。但是目前没办法测得ICP刻蚀的纵向速率与横向速率之比。主要是难于将横向刻蚀深度测得。 请问大家有谁做过PI的刻蚀没有,可有这方面的数据?金币不多。。只能提供这些了,谢谢了! 我采用的是ICP刻蚀条件:CF4:O2=10:50(流量比),压力0.4Pa,上电极300w,下电极100w,偏压200V。 |
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