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apolloljy

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】请问一个利用ICP刻蚀PI的方法 已有6人参与

请教一个利用ICP刻蚀PI的方法

我的主要实验目的是在PI上光刻做出金膜图形,然后想利用PI做牺牲层采用ICP刻蚀方法将金膜图形最窄区域(2um宽)刻透(横向)。但是目前没办法测得ICP刻蚀的纵向速率与横向速率之比。主要是难于将横向刻蚀深度测得。

请问大家有谁做过PI的刻蚀没有,可有这方面的数据?金币不多。。只能提供这些了,谢谢了!

我采用的是ICP刻蚀条件:CF4:O2=10:50(流量比),压力0.4Pa,上电极300w,下电极100w,偏压200V。
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yccycc

木虫 (著名写手)


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引用回帖:
Originally posted by bnuphy at 2010-08-11 09:11:42:
PI是什麽?

应该说的是polyimide
5楼2010-08-30 02:38:13
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yccycc

木虫 (著名写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
没怎么看懂LZ的描述

我用ICP etch polyimide只用氧气就可以了,6分钟可以刻蚀1 micron的PI

用240V的电压产生plasma,150V的bias

BTW,不同型号的PI刻蚀条件会有区别
6楼2010-08-30 02:42:58
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