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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 统计、非线性&软物质 » 【求助】半导体的能带特征
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wwj4233

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】半导体的能带特征 已有12人参与

请教大家一个问题：
   半导体的能带结构有什么特征，希望虫友提供较为详细的解析。谢谢！
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1楼 2010-08-04 11:36:29
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改王之王

金虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
同意LS的…………半导体的带隙一般在0.1到2ev左右…………
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11楼2010-09-07 11:58:20
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改王之王

金虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by 275854279 at 2010-09-07 22:15:10:

其实随着化合物半导体的出现，半导体的能带已经被大大扩展了，像紫外led AlGaN二极管激光器，它的能带理论上最高可以到6ev。

一般来说现在3-4ev的蓝光，紫外光半导体用的比较多一些。

我记得有本书上说半 ...

看来光看课本也不行…………还要注意前沿动态呀…………呵呵
赞一下(1人) 回复此楼
13楼2010-09-08 10:52:17
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