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【求助】Ni掺杂带隙问题？ 已有2人参与
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我用Ni掺杂SIC，用了2种参数设置： 1 勾选Use formal spin as initial, LDA+U中U设置的是2.5eV 2 initial spin 设置成2，LDA+U中U设置的是4.5eV 用的是64个原子的晶胞。方法1得到的带隙是0.9eV,没有磁性，计算时间大约8h。方法2得到的是0.5eV,有磁性,计算时间大约26h。我本来觉得方法2参数设置更好点，但查的文献上都说Ni掺杂SIC没有磁性的，带隙也没这么窄，困惑很长时间了，不知道那种设置得到的结果是对的。  期待高手们能指点一下，万分感谢中…… |
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2楼2010-07-14 19:46:01
qinyuan1598
铜虫 (小有名气)
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- 金币: 105.1
- 帖子: 67
- 在线: 2.1小时
- 虫号: 884175
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- 性别: MM
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2010-07-14 20:13:39
4楼2010-07-14 23:20:57
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看了论坛的有关spin的讨论，根据过渡金属spin的设置，貌似第二种方法是对的。 第一种方法中castep中有： Warning in parameters_read: number of up-spin electrons is equal to the number of down-spins and spin_polarized=true - consider setting spin_polarized=false. 我又试了不勾选sipn的方法，带隙变为1.1ev,有磁性。文献中用别的方法计算出的掺杂后带隙应该是1.67ev左右。我掺杂的是3C-SIC。 论坛中算过掺杂过渡金属的高手们，迫切希望你们的指点！！！ [ Last edited by dyk325 on 2010-7-18 at 10:47 ] |
5楼2010-07-16 10:00:50
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