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dcl163

金虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】烧结温度与晶粒长大和烧结密度之间的关系 已有26人参与

请教烧结温度与晶粒长大和烧结密度之间的关系
三者之间有什么相互联系
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yufenfei3002

金虫 (小有名气)

★ ★ ★
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guxue(金币+2):鼓励交流 2010-06-23 07:26:16
dp/pdt=F(p)*(3rW/kT)*(qD/G^4)
其中, p是相对密度,t是时间,r是表面能,W是原子体积,G是晶粒尺寸,q是晶界厚度,D是晶界扩散率,F为相对密度p的函数。
详见Herring, C. (1950). "Effect of Change of Scale on Sintering Phenomena." Journal of Applied Physics 21(4): 301-303.
雨纷飞
5楼2010-06-22 16:14:14
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lyhongji

至尊木虫 (职业作家)

小样

★ ★
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csuhcb2000(金币+1):鼓励交流 2010-06-21 17:04:22
一般情况下,烧结温度高,容易传质,晶体容易长大,有时也有利于气孔排除,这也就容易增加烧结密度;但烧结密度与气孔排除有密切关系,有时烧结温度越高,烧结密度不一定就高,只是晶体过度生长。
2楼2010-06-21 16:39:19
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guoqilong8

木虫 (小有名气)

★ ★ ★
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csuhcb2000(金币+1):鼓励交流 2010-06-21 17:04:32
418783132(金币+1):鼓励一下,希望继续解答问题~~ 2010-06-21 22:02:32
晶粒大小和烧结温度以及保压时间,升温速率有关
而致密度和烧结温度有关系 但是温度过高则会使致密度下降
当烧结温度太高 自然晶粒长的很大  但是致密度不一定升高
3楼2010-06-21 16:39:24
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zly7782

铁杆木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
请问有没有相关的公式进行表征
4楼2010-06-22 13:45:36
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