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shaoling988

木虫 (正式写手)

[交流] 【请教】请教有关纳米材料bandgap的计算方法,吸光系数如何求? 已有3人参与

在上面图片中,SnS是薄膜,吸光度系数如何通过紫外可见求出的?在文章中为什么有的求解的是直接跃迁的bandgap,有的是求的是间接跃迁的bandgap?在理论上应该如何判断?以上内容用的公式我明白,只是细节上不大懂!
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为中国梦活着奋斗!
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hqzhou0817

金虫 (著名写手)

shaoling988(金币+1): 2010-06-09 09:36:04
吸光度系数是可以通过紫外可见直接测量的
海纳百川,有容乃大。壁立千仞,无欲则刚!
3楼2010-06-07 16:00:02
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hqzhou0817

金虫 (著名写手)

shaoling988(金币+1): 2010-06-09 09:35:52
半导体材料有直接、间接带隙之分,据我所知,直接带隙的在计算材料带宽时需要用到吸光系数的1/2次方与光子能量的关系图来计算。
海纳百川,有容乃大。壁立千仞,无欲则刚!
2楼2010-06-07 15:59:36
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refnew

专家顾问 (知名作家)


shaoling988(金币+1): 2010-06-09 09:36:08
那个系数是计算出来的,与厚度浓度什么的有关
4楼2010-06-07 20:00:15
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shaoling988

木虫 (正式写手)

半导体材料有直接、间接带隙之分,据我所知,直接带隙的在计算材料带宽时需要用到吸光系数的1/2次方与光子能量的关系图来计算。
文献上说的好像是2次方与光子能量的关系图计算出来的是直接带隙,1/2次方求的是间接带隙,楼上的说反了吧???
为中国梦活着奋斗!
5楼2010-06-09 09:52:05
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