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【求助成功】Si 的激子结合能 已有1人参与
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激子结合能=GW 带隙-BSE吸收峰值， 但是对于Si， GW带隙应该为Si实验值1.2eV吧？而其BSE峰值为3.4eV，这样激子结合能是负值吗？ 我的理解是否有误？大家讨论下。 [ Last edited by 子虚乌有5388 on 2010-6-24 at 17:25 ] |
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zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-04-14 20:24:01
zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-04-14 20:24:01
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根据我看的文献，激子大约分为两种： 1）Wannier – Matt excitons (free exciton): mainly exist in semiconductors, have a large radius, are delocalized states that can move freely throughout the crystal, the binding energy ~ 0.01 eV; 2）Frenkel excitons (tight bound excitons): found in insulator and molecular crystals, bound to specific atoms or molecules and have to move by hopping from one atom to another, the binding energywith typical values ranging from about 0.1 eV to several eV. 半导体的激子结合能很小，计算的话根本看不到激子峰存在，所以你说的“激子峰”估计还不是实际的激子峰值。 只有绝缘体之类的才能看到比禁带宽度小的强激子吸收峰。 个人理解 |
3楼2011-04-14 16:27:18
