| 查看: 2687 | 回复: 2 | |||
[交流]
【求助成功】Si 的激子结合能 已有1人参与
|
|
激子结合能=GW 带隙-BSE吸收峰值， 但是对于Si， GW带隙应该为Si实验值1.2eV吧？而其BSE峰值为3.4eV，这样激子结合能是负值吗？ 我的理解是否有误？大家讨论下。 [ Last edited by 子虚乌有5388 on 2010-6-24 at 17:25 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
一志愿哈尔滨工业大学材料与化工方向336分
已经有5人回复
-
0856材料化工调剂 总分330
已经有9人回复
-
085602 化工专硕 338分 求调剂
已经有9人回复
-
352分 化工与材料
已经有4人回复
-
求调剂
已经有8人回复
-
材料求调剂 一志愿哈工大总分298分，前三科223分
已经有3人回复
-
材料求调剂一志愿哈工大324
已经有4人回复
-
085600 286分 材料求调剂
已经有4人回复
-
求调剂
已经有7人回复
-
275求调剂
已经有10人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 用siesta算Li在Si中结合能，是否开自旋？
已经有9人回复
- 配位数对XPS出峰位置的影响
已经有15人回复
- 激发态电荷转移计算入手方法
已经有12人回复
- XPS能区分SiO- 和SiOH中的Si元素？
已经有6人回复
- gromacs结果分析怎样分析氢键能和结合能
已经有12人回复
- 有关氮氧化硅的（Si2N2O）腐蚀的问题
已经有8人回复
- 金属的结合能大小比较，Cu,Ag等
已经有5人回复
- 结合能和形成能
已经有8人回复
- 【求助】XPS： C=N双键中的N的Bind Energy应该是多少？
已经有10人回复
- 【求助】什么是激子结合能和束缚能？
已经有4人回复
- 【讨论】关于结合能 形成能的问题
已经有6人回复
- 【求助】晶体的结合能与键能
已经有6人回复
- 【求助】结合能计算
已经有6人回复
- 【求助】如何求一个表面的结合能或者内聚能
已经有12人回复
- 【求助】如何计算结合能
已经有12人回复
cenwanglai
荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
- 1ST强帖: 5
- 应助: 46 (小学生)
- 贵宾: 8.842
- 金币: 7440.4
- 散金: 9654
- 红花: 118
- 沙发: 23
- 帖子: 5306
- 在线: 1961.4小时
- 虫号: 537452
- 注册: 2008-04-01
- 性别: GG
- 专业: 理论和计算化学
- 管辖: 仿真模拟
2楼2010-05-29 20:32:13
fanny0007
金虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 972.6
- 散金: 12
- 帖子: 220
- 在线: 120.5小时
- 虫号: 533141
- 注册: 2008-03-26
- 性别: MM
- 专业: 电路与系统
★ ★
zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-04-14 20:24:01
zzy870720z(金币+2): 谢谢指教 2011-04-14 20:24:01
|
根据我看的文献，激子大约分为两种： 1）Wannier – Matt excitons (free exciton): mainly exist in semiconductors, have a large radius, are delocalized states that can move freely throughout the crystal, the binding energy ~ 0.01 eV; 2）Frenkel excitons (tight bound excitons): found in insulator and molecular crystals, bound to specific atoms or molecules and have to move by hopping from one atom to another, the binding energywith typical values ranging from about 0.1 eV to several eV. 半导体的激子结合能很小，计算的话根本看不到激子峰存在，所以你说的“激子峰”估计还不是实际的激子峰值。 只有绝缘体之类的才能看到比禁带宽度小的强激子吸收峰。 个人理解 |
3楼2011-04-14 16:27:18
