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scream

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】请教,为何MS算得的带隙和实验值存在很大差距? 已有6人参与

各位亲爱的虫虫们,
               为什么用MS算得的能隙和实验值得到的差距这么大?只占实验值的百分之二十多!导致这样的原因是什么?拜托拜托~~
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xjw040

金虫 (正式写手)

scream(金币+1):算的Mg2Si 2010-05-26 17:46:39
请问楼主算的是无机的还是有机分子?
4楼2010-05-26 14:56:12
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锐利的碎片

木虫 (正式写手)

star watcher


scream(金币+1):算的Mg2Si.没有d,f 2010-05-26 12:23:38
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-05-26 13:26:05
算的什么?如果有d电子和f电子,完全正常。
3楼2010-05-26 11:58:38
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vasp001

金虫 (正式写手)


scream(金币+1):谢谢高人指点~ 2010-05-26 17:46:19
zzy870720z(金币+1):感谢交流 2010-05-26 18:01:23
引用回帖:
Originally posted by scream at 2010-05-25 22:27:39:
各位亲爱的虫虫们,
               为什么用MS算得的能隙和实验值得到的差距这么大?只占实验值的百分之二十多!导致这样的原因是什么?拜托拜托~~

DFT 本身理论的问题,尤其是使用传统的LDA,PBE 交换泛函,这种差距更明显,如果在你计算的模块里有Sx-LDA or PBE0 or B3LYP ,建议用这些方法,计算带隙,可能差值会小一些。
一定要精通MaterialsStudios,VASP.
5楼2010-05-26 17:03:12
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guolianshun

金虫 (著名写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
zxzj05(金币+1):谢谢回帖交流 2010-09-20 17:00:10
文献都说是理论问题,其实算完带隙给出的结果根本就不是下面的带隙值,不信你把带隙拉大看看,拉大后基本没误差,大家做理论的就是不实在,给出的数据不准确还用,其实误差基本没有存在。
6楼2010-09-20 15:49:15
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