24小时热门版块排行榜    

查看: 3925  |  回复: 12

a5027580

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】请问为什么GaAs掺杂Al会从直接带隙变为间接 已有7人参与

遇到一理论方面的问题:为什么AlxGa1-xAs随着x的增加,会从直接带隙变为间接带隙?请大虾们帮解释下,谢谢!急。急。急。。。。。。。。。。。
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

第一性原理计算

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:

已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

bird168

铁杆木虫 (著名写手)

★ ★
a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:12
小木虫:)(金币+2):3q 2010-05-28 13:13:17
简单理解一下,GaAs是直接带隙,AlAs是间接带隙,当x逐渐增加(Al的含量增大),GaAsAl合金由类GaAs变成类AlAs,所以会从直接带隙变为间接。
2楼2010-05-22 22:45:24
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

icebird333

木虫 (正式写手)


a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:15
小木虫:)(金币+1):3q 2010-05-28 13:13:24
一般Al组分超过0.45了,AlGaAs就会变为间接带隙
3楼2010-05-23 09:01:41
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zjciomp7973

金虫 (正式写手)

★ ★ ★
a5027580(金币+2): 2010-05-23 11:03:10
小木虫:)(金币+3):3q 2010-05-28 13:12:53
楼主没学过固体物理吗?
带隙就是E-K图中导带价带和导带距离最小处的差值gap
Al组分小于约0.45时 能量差最小处位于同一动量K处 故为直接带隙
Al组分大于约0.45时 能量差最小处不位于同一动量K处 故为间接带隙
另外,由于间接带隙的跃迁既要满足能量守恒也要满足动量守恒 而直接带隙只需能量守恒,故间接带隙跃迁的几率比直接带隙小很多
个人理解 但愿有助于楼主。
附图


[ Last edited by zjciomp7973 on 2010-5-23 at 09:58 ]
高功率半导体激光器
4楼2010-05-23 09:51:00
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

元小雪

木虫 (职业作家)

a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:20
直接去看看固体物理吧
无聊的博士
5楼2010-05-23 10:07:17
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

a5027580

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by bird168 at 2010-05-22 22:45:24:
简单理解一下,GaAs是直接带隙,AlAs是间接带隙,当x逐渐增加(Al的含量增大),GaAsAl合金由类GaAs变成类AlAs,所以会从直接带隙变为间接。

你好像没回答问为什么吧?AlAs是间接带隙,我想知道的是理论方面如何解释从直接带隙变为间接带隙?
6楼2010-05-23 11:11:32
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zjciomp7973

金虫 (正式写手)

直接带隙和间接带隙只是称谓而已

引用回帖:
Originally posted by a5027580 at 2010-05-23 11:11:32:

你好像没回答问为什么吧?AlAs是间接带隙,我想知道的是理论方面如何解释从直接带隙变为间接带隙?

楼主同学,所谓直接带隙和间接带隙就是按照价带最高点和导带最低点是否在同一K点来区分和定义的。 材料的能带结构是元素和晶体结构决定的,要问理论方面真的没有什么好深究的吧。
高功率半导体激光器
7楼2010-05-23 12:31:31
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zjciomp7973

金虫 (正式写手)

a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:33
莫非你是想问:AlGaAs三种元素构成的晶体,其能带结构是如何形成的?
这个确实很深,固体能带理论只是描述固体电子结构的方法之一,直接带隙间接带隙也只是固体理论引入的概念而已。
高功率半导体激光器
8楼2010-05-23 12:45:48
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

sunlie

金虫 (小有名气)

a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:35
长知识了
9楼2010-05-23 17:03:07
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

纳米材料753

木虫之王 (文学泰斗)

光岳之巅

a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:37
GaAs是直接带隙,但是AlAS是间接带隙,Al掺入GaAs是形成合金相,此时三元结构材料的带隙是由此材料导带能量最低点和价带能量最高点决定的,如果掺入的Al少,则此时GaAs占主导地位,能量最低点和最高点,都在K=O点(伽马点),此时为直接带,如果掺入的Al增加,当AlAS为主导地位时,为间接带,此时能量最低点和最高点不再K相等的位置。

[ Last edited by 纳米材料753 on 2010-5-24 at 08:43 ]
进取……永无止境!
10楼2010-05-24 08:24:00
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 a5027580 的主题更新
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 294求调剂材料与化工专硕 +14 陌の森林 2026-03-18 14/700 2026-03-19 22:38 by 学员8dgXkO
[考研] 085600材料与化工 求调剂 +14 enenenhui 2026-03-13 15/750 2026-03-19 21:53 by allen-yin
[考研] 生物学调剂招人!!! +3 山海天岚 2026-03-17 4/200 2026-03-19 21:34 by 怎么释怀
[考研] 0703化学调剂 ,六级已过,有科研经历 +12 曦熙兮 2026-03-15 12/600 2026-03-19 19:42 by maocaozhuxi
[考研] 梁成伟老师课题组欢迎你的加入 +9 一鸭鸭哟 2026-03-14 11/550 2026-03-19 17:22 by !本暗一次!
[考研] 能源材料化学课题组招收硕士研究生8-10名 +4 脱颖而出 2026-03-16 12/600 2026-03-19 16:17 by 脱颖而出
[考研] 317求调剂 +3 申子申申 2026-03-19 6/300 2026-03-19 14:16 by 申子申申
[考研] 化学求调剂 +3 临泽境llllll 2026-03-17 4/200 2026-03-19 13:59 by houyaoxu
[考研] 332求调剂 +3 ydfyh 2026-03-17 3/150 2026-03-19 10:14 by 功夫疯狂
[考研] 材料工程专硕调剂 +5 204818@lcx 2026-03-17 6/300 2026-03-18 22:55 by 204818@lcx
[考研] 085600材料与化工 +5 安全上岸! 2026-03-16 5/250 2026-03-18 15:33 by cmz0325
[考研] 311求调剂 +6 26研0 2026-03-15 6/300 2026-03-18 14:43 by haxia
[考研] 331求调剂(0703有机化学 +7 ZY-05 2026-03-13 8/400 2026-03-18 14:13 by 007_lilei
[考研] 0854,计算机类招收调剂 +3 胡辣汤放糖 2026-03-15 6/300 2026-03-18 12:09 by 上岸上岸……..
[考研] 工科材料085601 279求调剂 +6 困于星晨 2026-03-17 6/300 2026-03-18 10:21 by kkcoco25
[考研] 265求调剂 +3 梁梁校校 2026-03-17 3/150 2026-03-18 09:12 by zhukairuo
[考研] 材料专硕326求调剂 +6 墨煜姒莘 2026-03-15 7/350 2026-03-17 17:10 by ruiyingmiao
[考研] 290求调剂 +3 p asserby. 2026-03-15 4/200 2026-03-17 16:35 by wangkm
[考研] 304求调剂 +5 素年祭语 2026-03-15 5/250 2026-03-16 17:00 by 我的船我的海
[考研] 0856专硕279求调剂 +5 加油加油!? 2026-03-15 5/250 2026-03-15 11:58 by 2020015
信息提示
请填处理意见