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a5027580

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】请问为什么GaAs掺杂Al会从直接带隙变为间接 已有7人参与

遇到一理论方面的问题:为什么AlxGa1-xAs随着x的增加,会从直接带隙变为间接带隙?请大虾们帮解释下,谢谢!急。急。急。。。。。。。。。。。
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元小雪

木虫 (职业作家)

a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:20
直接去看看固体物理吧
无聊的博士
5楼2010-05-23 10:07:17
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bird168

铁杆木虫 (著名写手)

★ ★
a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:12
小木虫:)(金币+2):3q 2010-05-28 13:13:17
简单理解一下,GaAs是直接带隙,AlAs是间接带隙,当x逐渐增加(Al的含量增大),GaAsAl合金由类GaAs变成类AlAs,所以会从直接带隙变为间接。
2楼2010-05-22 22:45:24
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icebird333

木虫 (正式写手)


a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:15
小木虫:)(金币+1):3q 2010-05-28 13:13:24
一般Al组分超过0.45了,AlGaAs就会变为间接带隙
3楼2010-05-23 09:01:41
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zjciomp7973

金虫 (正式写手)

★ ★ ★
a5027580(金币+2): 2010-05-23 11:03:10
小木虫:)(金币+3):3q 2010-05-28 13:12:53
楼主没学过固体物理吗?
带隙就是E-K图中导带价带和导带距离最小处的差值gap
Al组分小于约0.45时 能量差最小处位于同一动量K处 故为直接带隙
Al组分大于约0.45时 能量差最小处不位于同一动量K处 故为间接带隙
另外,由于间接带隙的跃迁既要满足能量守恒也要满足动量守恒 而直接带隙只需能量守恒,故间接带隙跃迁的几率比直接带隙小很多
个人理解 但愿有助于楼主。
附图


[ Last edited by zjciomp7973 on 2010-5-23 at 09:58 ]
高功率半导体激光器
4楼2010-05-23 09:51:00
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