【求助】请问为什么GaAs掺杂Al会从直接带隙变为间接 - 物理 - 理论物理&天文

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bird168

铁杆木虫 (著名写手)

应助: 12 (小学生)
贵宾: 0.01
金币: 9857.2
散金: 110
红花: 10
帖子: 2208
在线: 961.5小时
虫号: 636208
注册: 2008-10-25
性别: GG
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

楼主不太厚道哦

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11楼2010-05-24 11:32:23

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zjciomp7973

金虫 (正式写手)

应助: 3 (幼儿园)
金币: 874.3
散金: 30
红花: 2
帖子: 367
在线: 109小时
虫号: 748692
注册: 2009-04-14
性别: GG
专业: 光子与光电子器件

引用回帖:

Originally posted by bird168 at 2010-05-24 11:32:23:
楼主不太厚道哦

有同感

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高功率半导体激光器

12楼2010-05-27 09:39:30

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孙?�730

至尊木虫 (知名作家)

物理EPI: 7
应助: 537 (博士)
贵宾: 0.961
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红花: 177
沙发: 16
帖子: 8218
在线: 2904小时
虫号: 490447
注册: 2008-01-03

★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖

引用回帖:

4楼: Originally posted by zjciomp7973 at 2010-05-23 09:51:00:
楼主没学过固体物理吗？
带隙就是E-K图中导带价带和导带距离最小处的差值gap
Al组分小于约0.45时能量差最小处位于同一动量K处故为直接带隙
Al组分大于约0.45时能量差最小处不位于同一动量K处故为间接带隙
...

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sunyu730_emuch@126.com

13楼2011-09-15 00:18:35

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