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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 理论物理&天文 » 【求助】请问为什么GaAs掺杂Al会从直接带隙变为间接
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a5027580

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】请问为什么GaAs掺杂Al会从直接带隙变为间接 已有7人参与

遇到一理论方面的问题：为什么AlxGa1-xAs随着x的增加，会从直接带隙变为间接带隙？请大虾们帮解释下，谢谢！急。急。急。。。。。。。。。。。
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1楼 2010-05-22 22:08:10
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孙?�730

至尊木虫 (知名作家)

优秀版主
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
4楼: Originally posted by zjciomp7973 at 2010-05-23 09:51:00:
楼主没学过固体物理吗？
带隙就是E-K图中导带价带和导带距离最小处的差值gap
Al组分小于约0.45时 能量差最小处位于同一动量K处 故为直接带隙
Al组分大于约0.45时 能量差最小处不位于同一动量K处 故为间接带隙
...

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sunyu730_emuch@126.com
13楼2011-09-15 00:18:35
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bird168

铁杆木虫 (著名写手)
★ ★
a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:12
小木虫:)(金币+2):3q 2010-05-28 13:13:17
简单理解一下，GaAs是直接带隙，AlAs是间接带隙，当x逐渐增加（Al的含量增大），GaAsAl合金由类GaAs变成类AlAs，所以会从直接带隙变为间接。
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2楼2010-05-22 22:45:24
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icebird333

木虫 (正式写手)
★
a5027580(金币+1): 2010-05-26 22:47:15
小木虫:)(金币+1):3q 2010-05-28 13:13:24
一般Al组分超过0.45了，AlGaAs就会变为间接带隙
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3楼2010-05-23 09:01:41
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zjciomp7973

金虫 (正式写手)
★ ★ ★
a5027580(金币+2): 2010-05-23 11:03:10
小木虫:)(金币+3):3q 2010-05-28 13:12:53
楼主没学过固体物理吗？
带隙就是E-K图中导带价带和导带距离最小处的差值gap
Al组分小于约0.45时 能量差最小处位于同一动量K处 故为直接带隙
Al组分大于约0.45时 能量差最小处不位于同一动量K处 故为间接带隙
另外，由于间接带隙的跃迁既要满足能量守恒也要满足动量守恒 而直接带隙只需能量守恒，故间接带隙跃迁的几率比直接带隙小很多
个人理解 但愿有助于楼主。
附图


[ Last edited by zjciomp7973 on 2010-5-23 at 09:58 ]
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高功率半导体激光器
4楼2010-05-23 09:51:00
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