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【奖励】 本帖被评价33次,作者valenhou001增加金币 27.15

[资源] 【原创】如何计算中性杂质的形成能已有3人参与

该贴是在回复“硅晶体内参杂一个铁原子那种情况下最稳定”的问题(http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1914787&fpage=0&view=&highlight=&page=1)基础上综合而成的。也就是以硅晶体中掺杂一个Fe原子为例,来介绍如何计算杂质形成能。


将晶胞扩大可能至少需要到64个原子的超原胞,然后根据Si里面的对称性、以及可能的空隙位考虑计算如下的几种情况:
1)将一个Si替换为Fe;
2)将一个Fe放到如下图的三种可能的间隙位置上:


计算步骤:
1)计算完整晶格的晶格常数;
2)构造超原胞,超原胞的大小要大到尽量使得杂质之间的相互作用足够小能足以说明物理问题,以及所能承受的计算资源。
3)计算完整晶格的超原胞的总能;计算参数特别是k点的选取,对在计算完整晶格的晶格常数时所取的k点网格,按超原胞同初基原胞的比例来缩小。
4)优化各种掺杂的原子结构,静态计算出总能。
5)按如下形成能的公式来计算杂质形成能。注意形成能的值,与会掺杂元素的化学势的选取有关的。

Si中Fe杂质的形成能:
delta E(formation) = E_tot(Si带有Fe杂质的超原胞) - E_tot(Si未带有Fe杂质的超原胞,即完整晶格的超原胞) -  n(Fe) * \mu(Fe) +   n(Si) * \mu(Si)

E_tot(...)就是超原胞的总能,有无杂质时,超原胞的大小要一致。
\mu(Fe)是Fe的化学势, \mu(Si)是Si的化学势。n(Fe)是掺杂入超原胞中Fe原子的个数,n(Si)是从超原胞中拿出的Si原子个数。

如果是替位掺杂:n(Fe) =1, n(Si) =1,表示是从超原胞拿出一个Si,然后并放入一个Fe。
如果是间隙掺杂: n(Fe) = 1, n(Si)=0,则表示只有将一个Fe原子放入超原胞,没有从超原胞拿出Si原子。

\mu(Fe)可以取为体心立方(bcc)Fe的总能(单位:能量单位+每原子);
\mu(Si)可以取为金刚石结构Si的总能(单位:能量单位+每原子。)。

[ Last edited by valenhou001 on 2010-5-22 at 07:54 ]
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★ ★
lvjian8596(金币+2):感谢交流! 2010-07-01 22:49:40
引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-05-22 07:51:59:
该贴是在回复“硅晶体内参杂一个铁原子那种情况下最稳定”的问题(http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1914787&fpage=0&view=&highlight=&page=1)基础上综合而成的。也就是以硅晶 ...

Fe和Si的化学势,应该与其所处的状态有关。用各自单质能量除以原子个数得到的能量作为化学势,应该是一种近似吧?

如果掺杂的化学状态(物理状态)与单质状态差异很大,这种近似结果只能作为一种参考给出定性判断,而不能作为绝对值。

比如,O2分子为三重态,N2分子为三键,他们进入复合物后,其与周围原子的距离可能远大于单质分子中两个同质原子距离,因而前者实际化学势要低于单质中原子化学势很多。

我说的对吗?请大家讨论。
31楼2010-06-30 22:39:07
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stractor

金虫 (著名写手)


★ ★ ★
cenwanglai(金币+3):谢谢回复. 2010-07-03 18:56:20
引用回帖:
Originally posted by jghe at 2010-07-02 17:02:15:
是啊,但主要是修正相不是很理解。楼住能否举个例子?谢谢!!

引入修正项的根本原因就是我们采用超胞计算带电缺陷,这会引入库伦相互作用,因为库伦作用时长程的。我见过的修正项主要有三项,目前只记得两项,一个就是Nakov和Payne(PRB,51,4014)提出的修正,貌似要考虑四极矩。不过这个修正不要轻易采用,因为它的可信度还有待商榷。第二个就是对有缺陷的晶胞的价带顶的修正。Chris等大多数人用的缺陷形成能公式中价带顶(VBM)是用的无缺陷的超胞的的VBM,但这个缺陷形成能公式实际该用有缺陷晶胞的VBM(好似这篇文章说过Phys. Rev. B 68, 085110)。由于库伦作用,直接由缺陷晶胞计算的VBM不准,所以采用完整晶胞的VBM加上又一个修正项。这个修正项就是要计算缺陷晶胞中离缺陷位置较远的一个区域内的平均静电势与无缺陷的超胞的平均静电势之差。而“离缺陷位置较远的一个区域内的平均静电势”可以对离缺陷最远的那个原胞求平均。我是用VASP。静电势在LOCPOT文件里面。自己写一个小程序即可完成。
要理解这些修正,还是得啃原始文献。
39楼2010-07-02 21:52:13
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stractor

金虫 (著名写手)


★ ★
lvjian8596(金币+2):感谢交流! 2010-07-01 22:48:46
引用回帖:
Originally posted by carlaty at 2010-06-30 21:31:41:
我看文献中他们还考虑了费米能级的位置,并根据费米费米位置与形成能斜率来来确定杂质的价态,我们计算的时候为什么没有考虑费米能级的位置?还是说我们计算的只是费米能级为0的这一种状态的形成能,这能表示实际 ...

带点缺陷形成能与Fermi能级有关,Feimi能级处在价带定与导带底之间。由于缺陷形成能有一项为:q*E(E为费米能级),所以横坐标为Fermi能级,纵坐标为形成能这样的图中形成能直线的斜率就是价态。中性缺陷的形成能与Fermi能级无关(因为q=0),所以不考虑Fermi能级。
36楼2010-07-01 22:20:25
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普通回帖

zhuly

银虫 (小有名气)



小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
明白了,谢谢LZ
2楼2010-05-22 08:22:34
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freer007

木虫 (正式写手)



小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
多谢楼主分享。
3楼2010-05-22 10:02:48
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lono75

铁杆木虫 (著名写手)



小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
谢 谢, 设为评价贴

[ Last edited by lono75 on 2010-5-22 at 10:21 ]
4楼2010-05-22 10:09:04
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kgdu

金虫 (正式写手)


★★★★★ 五星级,优秀推荐

学习了!!
6楼2010-05-24 16:48:24
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amynliou

金虫 (正式写手)


★★★★★ 五星级,优秀推荐

写得很好啊  尤其喜欢那三个对称位置  收藏了
7楼2010-05-24 16:52:15
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s20080718

金虫 (著名写手)


收藏,谢谢分享!!!!!
8楼2010-05-25 10:21:00
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★★★★★ 五星级,优秀推荐

学习了,谢谢
10楼2010-05-25 11:54:29
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shelay

木虫 (正式写手)


★★★★★ 五星级,优秀推荐

请问Si或Fe的化学势怎么得到啊?请赐教!
11楼2010-05-25 20:03:43
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linxi0110

金虫 (小有名气)


★ 一星级,一般

这么复杂。。。
13楼2010-05-26 19:23:45
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★★★★★ 五星级,优秀推荐

学习.呵呵.
14楼2010-05-26 19:34:42
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引用回帖:
Originally posted by shelay at 2010-05-25 20:03:43:
请问Si或Fe的化学势怎么得到啊?请赐教!

可以先在搜索一下看看.这样的问题一般都有人问过和回答过的.

Si和Fe的化学势可以选其单质原胞来算总能,除以折算原子个数.
原子个数的折算要考虑具体位置,顶点的一个算1/8.其它类推.
15楼2010-05-26 19:37:25
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gongchangjie

金虫 (正式写手)


★★★ 三星级,支持鼓励

有没有相关参考文献?
谢谢
16楼2010-05-27 08:10:50
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★ ★ ★
cenwanglai(金币+3):呵呵,谢谢对小木虫的贡献! 2010-05-27 09:35:49
如果是主体材料(也就是被掺杂的,或被形成缺陷的)是单质,简单的,将形成能公式中该单质的元素的化学势取为原子的总能、同时将掺杂元素的化学势也取为原子的总能。这样计算起来较为方便。

如果主体材料是二元的化合物比如AB,掺杂元素为C的话,那么元素A的化学势的变化范围在:[化合物AB的总能减去元素B单质的总能, 该元素A的单质的总能]。掺杂元素C的化学势取为C的单质的总能。
17楼2010-05-27 08:52:51
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superest

金虫 (小有名气)


引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-05-22 07:51:59:
该贴是在回复“硅晶体内参杂一个铁原子那种情况下最稳定”的问题(http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1914787&fpage=0&view=&highlight=&page=1)基础上综合而成的。也就是以硅晶 ...

请问:本征缺陷的形成能,和掺杂原子的形成能可以比较吗?比如ZnO中Zn空位的形成能和Co替代Zn形成能之间,有可比性吗?可以通过这两者的形成能来判断哪个浓度更高吗?
18楼2010-05-27 10:23:33
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shelay

木虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-05-26 19:37:25:


可以先在搜索一下看看.这样的问题一般都有人问过和回答过的.

Si和Fe的化学势可以选其单质原胞来算总能,除以折算原子个数.
原子个数的折算要考虑具体位置,顶点的一个算1/8.其它类推.

请问一下,在算空位或杂质形成能时,比如64个原子超胞,掺杂后就会有很多空位或杂质形成位置,在计算形成能时,该取哪个位置呢?形成能最低的就是我们要取的吗?
19楼2010-06-03 22:01:55
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wwgaochao

铜虫 (正式写手)


★★★★★ 五星级,优秀推荐

谢谢
20楼2010-06-22 11:54:02
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lvjian8596(金币+1):感谢交流! 2010-07-01 22:51:19
引用回帖:
Originally posted by superest at 2010-05-27 10:23:33:

请问:本征缺陷的形成能,和掺杂原子的形成能可以比较吗?比如ZnO中Zn空位的形成能和Co替代Zn形成能之间,有可比性吗?可以通过这两者的形成能来判断哪个浓度更高吗?

没有太大的可比性。因为形成这两种缺陷或杂质的手段很不相同,也就是对应的化学环境(化学势的取值)会很不同。
21楼2010-06-22 13:33:56
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引用回帖:
Originally posted by shelay at 2010-06-03 22:01:55:

请问一下,在算空位或杂质形成能时,比如64个原子超胞,掺杂后就会有很多空位或杂质形成位置,在计算形成能时,该取哪个位置呢?形成能最低的就是我们要取的吗?

根据对称性,考虑多种情况,比较总能和形成能再判断最可能的情况。
22楼2010-06-22 13:35:19
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sunray55

银虫 (小有名气)


★★★★★ 五星级,优秀推荐

教科书式的回复,赞
23楼2010-06-22 14:12:22
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wwgaochao

铜虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-05-22 07:51:59:
该贴是在回复“硅晶体内参杂一个铁原子那种情况下最稳定”的问题(http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1914787&fpage=0&view=&highlight=&page=1)基础上综合而成的。也就是以硅晶 ...

我是初学者,求教一下:计算晶格的总能是利用task→energy一项吗?计算参数应该怎么设置?k点怎么选取?还有,硅晶格中空位怎么加进去?实在是小白,请指教下,谢谢。

[ Last edited by wwgaochao on 2010-6-25 at 14:33 ]
24楼2010-06-24 22:41:58
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stractor

金虫 (著名写手)



wuli8(金币+1):3ks 2010-09-14 15:54:19
补充:金刚石Si有两个不等价Si原子,所以要考虑Fe替换这两个不同位置。
我有个疑问,金刚石结构的Si的间隙只有四面体间隙和八面体间隙,为什么作者给出三个间隙位置?金刚石结构就是FCC晶格+4个四面体中心被占据的结构。棱的中心(0  0  0.5)这个位置其实是八面体间隙位置,它和(0.5  0.5  0.5)是等价的,这是因为周期性,这两个位置周围的环境市一样的。所以只有两个位置放间隙Fe即可。

[ Last edited by stractor on 2010-6-24 at 23:22 ]
25楼2010-06-24 23:03:49
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stractor

金虫 (著名写手)


引用回帖:
Originally posted by superest at 2010-05-27 10:23:33:

请问:本征缺陷的形成能,和掺杂原子的形成能可以比较吗?比如ZnO中Zn空位的形成能和Co替代Zn形成能之间,有可比性吗?可以通过这两者的形成能来判断哪个浓度更高吗?

半导体和绝缘体中本征缺陷和外来缺陷的形成能与环境有关。环境不同,给出的缺陷形成能不同。而环境就是靠化学式去确定。化学式有一定的变换范围。感兴趣的话可看Chris Van de Walle 的文章。
26楼2010-06-24 23:07:15
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awmc2008

至尊木虫 (文坛精英)


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好资料,学习学习,很需要。谢谢楼主。
27楼2010-06-24 23:18:19
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★★★★★ 五星级,优秀推荐

谢谢了
30楼2010-06-30 22:26:17
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★★★★★ 五星级,优秀推荐

谢谢
32楼2010-06-30 22:54:22
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carlaty

金虫 (正式写手)


引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-06-30 22:39:07:


Fe和Si的化学势,应该与其所处的状态有关。用各自单质能量除以原子个数得到的能量作为化学势,应该是一种近似吧?

如果掺杂的化学状态(物理状态)与单质状态差异很大,这种近似结果只能作为一种参考给出 ...

那如果我要计算N的化学势,应该如何进行处理,除了模拟N2以外,是否还有更好的方法?谢了。
33楼2010-07-01 09:29:22
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carlaty

金虫 (正式写手)


★ ★
lvjian8596(金币+2):感谢交流! 2010-07-01 22:47:57
贴一下我和cenwanglai版主的站内
引用部分是我的提问,正文部分为版主的解答
多谢斑竹
引用回帖:
您好,看了你在《如何计算中性杂质形成能》中关于化学势如何取的回复,受益匪浅。
我有一个问题:如果我是掺氮,求氮化学势时,建模的时候是八个顶点上各一个N2分子,建模正确否?此时如果我想获得N的化学势,总能量该除以几?是不是 2?
谢谢了。

化学势的计算方法,对其物理本质上的合理性,我了解的很少。其算法,都是看文献来的,但是不能回答为什么。
就我的理解,单个独立原子处于非成健的高能状态,成键后处于低能状态。用成键后的单质能量除以原子个数的方法,是对该原子具体环境下的化学势的模拟,而不能完全等同。
这种做法,在不同研究文献间,可以作为一种可以比较的标准。这种算法并不能给出真实的掺杂化学势。
每个角上有一个N2 分子,是周期性限制,算一个N2分子。算出的化学势为算得总能除以2。因为实际上这个单元只有两个N原子。
34楼2010-07-01 09:30:45
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jghe

金虫 (著名写手)


引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-05-22 07:51:59:
该贴是在回复“硅晶体内参杂一个铁原子那种情况下最稳定”的问题(http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1914787&fpage=0&view=&highlight=&page=1)基础上综合而成的。也就是以硅晶 ...

能不能讲讲掺杂原子带电荷体系形成能的计算,谢谢
35楼2010-07-01 15:14:59
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stractor

金虫 (著名写手)



lvjian8596(金币+1):感谢交流! 2010-07-01 22:49:12
引用回帖:
Originally posted by jghe at 2010-07-01 15:14:59:

能不能讲讲掺杂原子带电荷体系形成能的计算,谢谢

看Chris G Van de Walle的文章。物理评论上很多。思路就是上面的。形成能公式在Chris 文章中有。主要项就是没缺陷的超胞总能、有缺陷超胞的总能,缺陷原子的化学势、完整晶胞的价带顶和一些修正项。

[ Last edited by stractor on 2010-7-1 at 23:38 ]
37楼2010-07-01 22:27:37
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jghe

金虫 (著名写手)


★★★ 三星级,支持鼓励

是啊,但主要是修正相不是很理解。楼住能否举个例子?谢谢!!
38楼2010-07-02 17:02:15
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jghe

金虫 (著名写手)


学习了,多交流阿
40楼2010-07-03 16:56:38
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guolianshun

金虫 (著名写手)


引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-05-22 07:51:59:
该贴是在回复“硅晶体内参杂一个铁原子那种情况下最稳定”的问题(http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1914787&fpage=0&view=&highlight=&page=1)基础上综合而成的。也就是以硅晶 ...

很有帮助
41楼2010-07-16 09:57:52
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black_leopard

银虫 (初入文坛)


引用回帖:
Originally posted by stractor at 2010-07-02 21:52:13:

引入修正项的根本原因就是我们采用超胞计算带电缺陷,这会引入库伦相互作用,因为库伦作用时长程的。我见过的修正项主要有三项,目前只记得两项,一个就是Nakov和Payne(PRB,51,4014)提出的修正,貌似要考虑 ...

1)关于VASP中计算该deltaV修正项,能否赐教下详细怎么操作的。谢谢了。
2)VASP中“无缺陷的超胞的的VBM” 如何计算。E_VBM和E_fermi之间这个关系该如何理解(解释电子化学势)
thanks
42楼2010-09-11 15:10:54
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china1949

铁虫 (初入文坛)


★★★ 三星级,支持鼓励

好贴,顶一个,这几天正为这烦呢
44楼2010-10-08 18:41:03
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zzd_beyond

金虫 (小有名气)


★★★ 三星级,支持鼓励

楼主辛苦了,非常感谢
45楼2010-10-31 15:53:13
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frank_zhan

金虫 (正式写手)


★★★ 三星级,支持鼓励

多谢分享!!!
46楼2010-11-02 09:30:20
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轻风龙骑士

新虫 (初入文坛)


★★★★★ 五星级,优秀推荐

巨有帮助,万分感谢!!
48楼2010-11-14 11:22:11
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black_leopard

银虫 (初入文坛)


引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-05-22 07:51:59:
该贴是在回复“硅晶体内参杂一个铁原子那种情况下最稳定”的问题(http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1914787&fpage=0&view=&highlight=&page=1)基础上综合而成的。也就是以硅晶 ...

侯老师,你好。关于 硅,铁的化学势,有人用这种方法求,也有人用其结合能来计算。固体基态结构下的能量和结合能这两个主要有什么区别。应该用哪一个。谢谢
49楼2010-11-20 21:27:29
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minmin8608

金虫 (小有名气)


★★★ 三星级,支持鼓励

学习啦!
50楼2010-12-11 15:16:28
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wuli85楼
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