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【求助】场发射性质：turn-on field 和field enhancement factor已有6人参与
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我做的ZnS纳米带的场发射性质，现在审稿意见回来了，对于场发射性质审稿人有个意见：1. For a material with turn-on field as high as 15.3 V/um, it is impossible to have a enhancement factor as high as 2750. 于是我查阅了文献，的确，一般turn-on field越大， enhancement factor 也越大，但是也有几篇文献与之背离。现在我的文章也算是背离。我又重新检查了我的J-E数据和Fowler-Nordheim ln(J/E2)-(1/E)数据，的确没有算错。我也很奇怪我的数据为什么会这样，有牛人能指点一下吗？下面是图片：    |
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- 【求助】场发射性质：turn-on field 和field enhancement factor
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2楼2010-05-06 11:33:03
chenjin
铁杆木虫 (著名写手)
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3楼2010-05-06 15:10:32
4楼2010-05-06 15:57:28
xiongying_swust
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5楼2010-05-06 16:15:49
6楼2010-05-06 16:30:02
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7楼2010-05-06 16:55:32
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8楼2010-05-06 17:00:18
9楼2010-05-06 17:44:59
10楼2010-05-06 18:03:30