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smoon8711

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】场发射性质:turn-on field 和field enhancement factor 已有6人参与

我做的ZnS纳米带的场发射性质,现在审稿意见回来了,对于场发射性质审稿人有个意见:1.  For a material with turn-on field as high as 15.3 V/um, it is impossible to have a enhancement factor as high as 2750.
于是我查阅了文献,的确,一般turn-on field越大, enhancement factor 也越大,但是也有几篇文献与之背离。现在我的文章也算是背离。我又重新检查了我的J-E数据和Fowler-Nordheim ln(J/E2)-(1/E)数据,的确没有算错。我也很奇怪我的数据为什么会这样,有牛人能指点一下吗?下面是图片:


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smoon8711

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by chenjin at 2010-05-06 15:10:32:
偶认为是对于一定的材料来说 开启电压越低  β越大,

[ Last edited by chenjin on 2010-5-6 at 15:17 ]

我知道的,文献上报道的也基本像你说的那样,我的意思是想说为什么我的样品却不符合开启电压越低  β越大,而且我检查我的数据,结果是没有错的,难道你没有看到过不符合的例子吗?
4楼2010-05-06 15:57:28
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smoon8711

金虫 (小有名气)

自己先顶一下,期待大家的宝贵意见,在线等!
2楼2010-05-06 11:33:03
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chenjin

铁杆木虫 (著名写手)

★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
偶认为是对于一定的材料来说 开启电压越低  β越大,

[ Last edited by chenjin on 2010-5-6 at 15:17 ]
3楼2010-05-06 15:10:32
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xiongying_swust

新虫 (正式写手)

★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by smoon8711 at 2010-05-06 11:31:12:
我做的ZnS纳米带的场发射性质,现在审稿意见回来了,对于场发射性质审稿人有个意见:1.  For a material with turn-on field as high as 15.3 V/um, it is impossible to have a enhancement factor as high as 2 ...

根据F-N模型来说,turn-on field和Field enhancement factor这二者之间不能直接成反比(即开启场强越高,场增强因子就一定不能大),要视不同材料而定,即不能用作者的ZnS和传统意义的上的场发射优异材料如金刚石膜等来比较,而应该在同一材料内别人报道ZnS的结果来比较
5楼2010-05-06 16:15:49
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