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jackeywell

金虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我们一般刚取出的硅片会先丙酮、酒精各三十分钟超声清洗,然后煮酸清洗   就是H2SO4/H2O2的体积比4:1    120℃    12min    最后HF 清洗
51楼2014-09-16 21:12:05
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草坪静谧

铁虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
请问楼主是在哪个公司买的带二氧化硅层的硅片,质量怎么样,可否告知?
有志者事竞成
52楼2015-01-07 23:26:54
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草坪静谧

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
9楼: Originally posted by liuyang12345 at 2010-08-13 13:25:30
一般在清洗完毕,我们用气体吹干,比较好,没有痕迹。如果是单纯的烘干,好像都会留下痕迹。

请问气体吹干的装置是怎样的,可否直接用氮气瓶接一跟塑料管呢?
有志者事竞成
53楼2015-01-07 23:33:03
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hruner

铁虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
清洗的作用
  1.在太阳能材料制备过程中,在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜,有害的杂质离子进入二氧化硅层,会降低绝缘性能,清洗后绝缘性能会更好。
  2.在等离子边缘腐蚀中,如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在,会影响器件的质量,清洗后质量大大提高。
  3.硅片中杂质离子会影响P-N 结的性能,引起P-N 结的击穿电压降低和表面漏电,影响P-N 结的性能。
  4.在硅片外延工艺中,杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。
  清洗的原理
   要了解清洗的原理,首先必须了解杂质的类型,杂质分为三类:一类是分子型杂质,包括加工中的一些有机物;二类是离子型杂质,包括腐蚀过程中的钠离子、氯 离子、氟离子等;三是原子型杂质,如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。目前最常用的清洗方法有:化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。
  1.目前的化学清洗步骤有两种:
  (1)有机溶剂(甲苯、丙酮、酒精等)→去离子水→无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水)→氢氟酸→去离子水
  (2)碱性过氧化氢溶液→去离子水→酸性过氧化氢溶液→去离子水
  下面讨论各种步骤中试剂的作用。
  a.有机溶剂在清洗中的作用
  用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中,甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是“相似相溶”。
  b.无机酸在清洗中的作用
  硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质,只能用无机酸除去。有关的反应如下:
  2Al+6HCl=2AlCl3+3H2↑
  Al2O3+6HCl=2AlCl3+3H2O
  Cu+2H2SO4= CuSO4 +SO2↑+2H2O
  2Ag+2H2SO4=2Ag2SO4+SO2↑+2H2O
  Cu+4HNO3= Cu(NO3)2 +2NO2↑+2H2O
  Ag+4HNO3= AgNO3+2NO2↑+2H2O
  Au+4HCl+HNO3=H[AuCl4] +NO↑+2H2O
  SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O
  如果HF 过量则反应为:SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
  H2O2 的作用:在酸性环境中作还原剂,在碱性环境中作氧化剂。在硅片清洗中对一些难溶物质转化为易溶物质。如:
  As2S5+20 H2O2+16NH4OH=2(NH4)3AsO4+5(NH4)2SO4+28H2O
  MnO2+ H2SO4+ H2O2= MnSO4+2H2O+O2↑
  c.RCA 清洗方法及原理
   在生产中,对于硅片表面的清洗中常用RCA 方法及基于RCA 清洗方法的改进,RCA 清洗方法分为Ⅰ号清洗剂(APM)和Ⅱ号清洗剂(HPM)。Ⅰ号清洗剂(APM)的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的氨水按体积比 为:5:1:1 至5:2:1;Ⅱ号清洗剂(HPM)的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的盐酸按体积比为:6:1:1 至8:2:1。其清洗原理是:氨分子、氯离子等与重金属离子如:铜离子、铁离子等形成稳定的络合物如:[AuCl4]-、[Cu(NH3)4]2+、 [SiF6]2-。
  清洗时,一般应在75~85℃条件下清洗、清洗15 分钟左右,然后用去离子水冲洗干净。Ⅰ号清洗剂(APM)和Ⅱ号清洗剂(HPM)有如下优点:
  (1)这两种清洗剂能很好地清洗硅片上残存的蜡、松香等有机物及一些重金属如金、铜等杂质;
  (2)相比其它清洗剂,可以减少钠离子的污染;
  (3)相比浓硝酸、浓硫酸、王水及铬酸洗液,这两种清洗液对环境的污染很小,操作相对方便。
  2.超声波在清洗中的作用
  目前在半导体生产清洗过程中已经广泛采用超声波清洗技术。超声波清洗有以下优点:
  (1)清洗效果好,清洗手续简单,减少了由于复杂的化学清洗过程中而带来的杂质的可能性;
  (2)对一些形状复杂的容器或器件也能清洗。
  超声波清洗的缺点是当超声波的作用较大时,由于震动磨擦,可能使硅片表面产生划道等损伤。
  超声波产生的原理:高频震荡器产生超声频电流,传给换能器,当换能器产生超声震动时,超声震动就通过与换能器连接的液体容器底部而传播到液体内,在液体中产生超声波。
  3.真空高温处理的清洗作用
  硅片经过化学清洗和超声波清洗后,还需要将硅片真空高温处理,再进行外延生长。真空高温处理的优点:
  (1)由于硅片处于真空状态,因而减少了空气中灰尘的玷污;
  (2)硅片表面可能吸附的一些气体和溶剂分子的挥发性增加,因而真空高温易除去;
  (3)硅片可能玷污的一些固体杂质在真空高温条件下,易发生分解而除去。
预购请致电三达奥克化学-13940870701(王)
54楼2015-12-31 09:39:38
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55楼2016-10-22 19:35:37
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56楼2016-10-22 19:37:33
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57楼2016-10-22 21:42:35
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davidloo

禁虫 (职业作家)


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58楼2016-10-23 12:46:20
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诸葛猴子

新虫 (初入文坛)


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引用回帖:
31楼: Originally posted by 玖月冥 at 2011-08-09 09:26:42
① 用洗涤剂浸泡超声清洗20分钟,溶解清除基片表面的大量有机物;
② 用稀硫酸浸泡超声清洗20分钟,去除有机物等污渍;
③ 用分析纯丙酮50℃超声清洗20分钟,清除粘附的胶粘剂和部分残余有机物;
④ 用分析纯 ...

楼主你好,请问你用丙酮50℃超声清洗20min时,用的什么器皿?具体怎样做的?我刚刚试了一下,培养皿盖盖子,结果炸了,如果不盖盖子,50℃极易挥发。。。。
59楼2018-03-26 20:48:32
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小萍子2号

新虫 (小有名气)


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引用回帖:
28楼: Originally posted by youcai147 at 2011-07-04 17:24:53
要最后是清水的表面,是不是最后要用一号液

难道不是2号液最后是亲水
60楼2018-09-18 17:25:31
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