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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【请教】硅片的清洗
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jackeywell

金虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
我们一般刚取出的硅片会先丙酮、酒精各三十分钟超声清洗，然后煮酸清洗   就是H2SO4/H2O2的体积比4：1    120℃    12min    最后HF 清洗
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51楼2014-09-16 21:12:05
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草坪静谧

铁虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
请问楼主是在哪个公司买的带二氧化硅层的硅片，质量怎么样，可否告知？
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有志者事竞成
52楼2015-01-07 23:26:54
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草坪静谧

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
9楼: Originally posted by liuyang12345 at 2010-08-13 13:25:30
一般在清洗完毕，我们用气体吹干，比较好，没有痕迹。如果是单纯的烘干，好像都会留下痕迹。

请问气体吹干的装置是怎样的，可否直接用氮气瓶接一跟塑料管呢？
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有志者事竞成
53楼2015-01-07 23:33:03
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hruner

铁虫 (初入文坛)
★
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清洗的作用
　　1.在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。
　　2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。
　　3.硅片中杂质离子会影响P-N 结的性能，引起P-N 结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N 结的性能。
　　4.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。
　　清洗的原理
　 　要了解清洗的原理，首先必须了解杂质的类型，杂质分为三类：一类是分子型杂质，包括加工中的一些有机物；二类是离子型杂质，包括腐蚀过程中的钠离子、氯 离子、氟离子等；三是原子型杂质，如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。目前最常用的清洗方法有：化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。
　　1.目前的化学清洗步骤有两种：
　　（1）有机溶剂（甲苯、丙酮、酒精等）→去离子水→无机酸（盐酸、硫酸、硝酸、王水）→氢氟酸→去离子水
　　（2）碱性过氧化氢溶液→去离子水→酸性过氧化氢溶液→去离子水
　　下面讨论各种步骤中试剂的作用。
　　a.有机溶剂在清洗中的作用
　　用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是“相似相溶”。
　　b.无机酸在清洗中的作用
　　硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。有关的反应如下：
　　2Al+6HCl=2AlCl3+3H2↑
　　Al2O3+6HCl=2AlCl3+3H2O
　　Cu+2H2SO4= CuSO4 +SO2↑+2H2O
　　2Ag+2H2SO4=2Ag2SO4+SO2↑+2H2O
　　Cu+4HNO3= Cu（NO3）2 +2NO2↑+2H2O
　　Ag+4HNO3= AgNO3+2NO2↑+2H2O
　　Au+4HCl+HNO3=H［AuCl4］ +NO↑+2H2O
　　SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O
　　如果HF 过量则反应为：SiO2+6HF=H2［SiF6］+2H2O
　　H2O2 的作用：在酸性环境中作还原剂，在碱性环境中作氧化剂。在硅片清洗中对一些难溶物质转化为易溶物质。如：
　　As2S5+20 H2O2+16NH4OH=2（NH4）3AsO4+5（NH4）2SO4+28H2O
　　MnO2+ H2SO4+ H2O2= MnSO4+2H2O+O2↑
　　c.RCA 清洗方法及原理
　 　在生产中，对于硅片表面的清洗中常用RCA 方法及基于RCA 清洗方法的改进，RCA 清洗方法分为Ⅰ号清洗剂（APM）和Ⅱ号清洗剂（HPM）。Ⅰ号清洗剂（APM）的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的氨水按体积比 为：5:1：1 至5:2：1；Ⅱ号清洗剂（HPM）的配置是用去离子水、30%过氧化氢、25%的盐酸按体积比为：6:1：1 至8:2：1。其清洗原理是：氨分子、氯离子等与重金属离子如：铜离子、铁离子等形成稳定的络合物如：［AuCl4］-、［Cu（NH3）4］2+、 ［SiF6］2-。
　　清洗时，一般应在75～85℃条件下清洗、清洗15 分钟左右，然后用去离子水冲洗干净。Ⅰ号清洗剂（APM）和Ⅱ号清洗剂（HPM）有如下优点：
　　（1）这两种清洗剂能很好地清洗硅片上残存的蜡、松香等有机物及一些重金属如金、铜等杂质；
　　（2）相比其它清洗剂，可以减少钠离子的污染；
　　（3）相比浓硝酸、浓硫酸、王水及铬酸洗液，这两种清洗液对环境的污染很小，操作相对方便。
　　2.超声波在清洗中的作用
　　目前在半导体生产清洗过程中已经广泛采用超声波清洗技术。超声波清洗有以下优点：
　　（1）清洗效果好，清洗手续简单，减少了由于复杂的化学清洗过程中而带来的杂质的可能性；
　　（2）对一些形状复杂的容器或器件也能清洗。
　　超声波清洗的缺点是当超声波的作用较大时，由于震动磨擦，可能使硅片表面产生划道等损伤。
　　超声波产生的原理：高频震荡器产生超声频电流，传给换能器，当换能器产生超声震动时，超声震动就通过与换能器连接的液体容器底部而传播到液体内，在液体中产生超声波。
　　3.真空高温处理的清洗作用
　　硅片经过化学清洗和超声波清洗后，还需要将硅片真空高温处理，再进行外延生长。真空高温处理的优点：
　　（1）由于硅片处于真空状态，因而减少了空气中灰尘的玷污；
　　（2）硅片表面可能吸附的一些气体和溶剂分子的挥发性增加，因而真空高温易除去；
　　（3）硅片可能玷污的一些固体杂质在真空高温条件下，易发生分解而除去。
预购请致电三达奥克化学-13940870701（王）
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54楼2015-12-31 09:39:38
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心中日月383
好

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55楼2016-10-22 19:35:37
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心中日月383
好

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56楼2016-10-22 19:37:33
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心中日月383
好

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57楼2016-10-22 21:42:35
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davidloo

禁虫 (职业作家)
★
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58楼2016-10-23 12:46:20
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诸葛猴子

新虫 (初入文坛)
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引用回帖:
31楼: Originally posted by 玖月冥 at 2011-08-09 09:26:42
①　用洗涤剂浸泡超声清洗20分钟，溶解清除基片表面的大量有机物；
②　用稀硫酸浸泡超声清洗20分钟，去除有机物等污渍；
③　用分析纯丙酮50℃超声清洗20分钟，清除粘附的胶粘剂和部分残余有机物；
④　用分析纯 ...

楼主你好，请问你用丙酮50℃超声清洗20min时，用的什么器皿？具体怎样做的？我刚刚试了一下，培养皿盖盖子，结果炸了，如果不盖盖子，50℃极易挥发。。。。
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59楼2018-03-26 20:48:32
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小萍子2号

新虫 (小有名气)
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28楼: Originally posted by youcai147 at 2011-07-04 17:24:53
要最后是清水的表面，是不是最后要用一号液

难道不是2号液最后是亲水
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60楼2018-09-18 17:25:31
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