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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【讨论】材料的带隙是怎样影响FET器件的开关比的？
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Atma

木虫 (小有名气)

[交流] 【讨论】材料的带隙是怎样影响FET器件的开关比的？ 已有11人参与

看文献说graphene无gap，所以开关比低，不理解

[ Last edited by Atma on 2010-3-20 at 21:28 ]
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1楼 2010-03-20 21:23:51
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

deler

铁杆木虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
一般来说，带隙小的，导电性好些，当然这个和掺杂的浓度有关，
导电性好，开关比，自然就低，
这个很好理解，不加gate电压的时候导电性就很好了，那么加gate电压后
也很好，这样就开关的电流比就很小了，像Graphene，ITO等导电性好的材料，
开关比都很低，做成TFT主要是测他们的迁移率，要做开关的器件，比如逻辑电路
驱动LCD等，就不行了，所以Graphene的意义一下子降低了很多，当然如果graphene
通过改性或掺杂能增加他的带隙，降低他的电导率，还是很有前途的。
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3楼2010-10-10 11:00:46
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普通回帖

diamondfire

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
小禁带利于低电压工作，但是Ioff太大了，所以开关比低。
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再烦，也别忘微笑；再急，也要注意语气；再苦，也别忘坚持；再累，也要爱自己。低调做人，你会一次比一次稳健；高调做事，你会一次比一次优秀。
2楼2010-06-27 18:19:58
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wswlgh

金虫 (职业作家)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
掺杂不太可能使 bandgap 增加。
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4楼2010-10-29 15:14:55
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fengyang5

金虫 (小有名气)
★
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引用回帖:
Originally posted by deler at 2010-10-10 11:00:46:
一般来说，带隙小的，导电性好些，当然这个和掺杂的浓度有关，
导电性好，开关比，自然就低，
这个很好理解，不加gate电压的时候导电性就很好了，那么加gate电压后
也很好，这样就开关的电流比就很小了，像Gra ...

同意，现在已有文章通过改性使之成为半导体性的
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5楼2010-10-29 15:18:41
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nirlord

银虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
比如说双层石墨烯，本身可调带隙，可以做高on/off的FET
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Whatever you do, do it well！
6楼2010-10-29 15:21:32
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subject

新虫 (初入文坛)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
有一文章使graphene的二维中的一维尺寸减小可以提高禁带宽度从而提高开关电流比，发在了nature上
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7楼2010-11-09 13:50:36
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yangyumei114

银虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by subject at 2010-11-09 13:50:36:
有一文章使graphene的二维中的一维尺寸减小可以提高禁带宽度从而提高开关电流比，发在了nature上

是 a diverse printed future吧，我正在看~~~~~
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8楼2010-11-17 11:34:08
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yuanliu1work
9楼2012-02-26 14:03:10
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highpy

木虫 (知名作家)
引用回帖:
19897061楼: Originally posted by subject at 2010-11-09 13:50:36
有一文章使graphene的二维中的一维尺寸减小可以提高禁带宽度从而提高开关电流比，发在了nature上

有器件還是理論
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10楼2012-08-20 23:50:01
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