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Atma

木虫 (小有名气)

[交流] 【讨论】材料的带隙是怎样影响FET器件的开关比的? 已有11人参与

看文献说graphene无gap,所以开关比低,不理解

[ Last edited by Atma on 2010-3-20 at 21:28 ]
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nirlord

银虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
比如说双层石墨烯,本身可调带隙,可以做高on/off的FET
Whatever you do, do it well!
6楼2010-10-29 15:21:32
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查看全部 13 个回答

diamondfire

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
小禁带利于低电压工作,但是Ioff太大了,所以开关比低。
再烦,也别忘微笑;再急,也要注意语气;再苦,也别忘坚持;再累,也要爱自己。低调做人,你会一次比一次稳健;高调做事,你会一次比一次优秀。
2楼2010-06-27 18:19:58
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deler

铁杆木虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
一般来说,带隙小的,导电性好些,当然这个和掺杂的浓度有关,
导电性好,开关比,自然就低,
这个很好理解,不加gate电压的时候导电性就很好了,那么加gate电压后
也很好,这样就开关的电流比就很小了,像Graphene,ITO等导电性好的材料,
开关比都很低,做成TFT主要是测他们的迁移率,要做开关的器件,比如逻辑电路
驱动LCD等,就不行了,所以Graphene的意义一下子降低了很多,当然如果graphene
通过改性或掺杂能增加他的带隙,降低他的电导率,还是很有前途的。
3楼2010-10-10 11:00:46
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wswlgh

金虫 (职业作家)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
掺杂不太可能使 bandgap 增加。
4楼2010-10-29 15:14:55
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