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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【讨论】材料的带隙是怎样影响FET器件的开关比的？
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Atma

木虫 (小有名气)

[交流] 【讨论】材料的带隙是怎样影响FET器件的开关比的？ 已有11人参与

看文献说graphene无gap，所以开关比低，不理解

[ Last edited by Atma on 2010-3-20 at 21:28 ]
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1楼 2010-03-20 21:23:51
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fengyang5

金虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by deler at 2010-10-10 11:00:46:
一般来说，带隙小的，导电性好些，当然这个和掺杂的浓度有关，
导电性好，开关比，自然就低，
这个很好理解，不加gate电压的时候导电性就很好了，那么加gate电压后
也很好，这样就开关的电流比就很小了，像Gra ...

同意，现在已有文章通过改性使之成为半导体性的
赞一下(1人) 回复此楼
5楼2010-10-29 15:18:41
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fengyang5

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
11楼: Originally posted by yzzzwei at 2012-08-31 18:57:53
有带隙就是说能带中有禁带，如果费米面落于禁带中，那么当源漏极两端的电势差小于禁带宽度时，由于沟道中没有电子通过的通道，器件不能导通，电流为零，当然由于温度的存在，费米面会展宽，电流可能不会为零，但比较 ...

嗯 说的好
还想请教你一个问题 材料的耐电压大小与禁带宽度关联，还是与其费米面的位置相关，感觉有点理不清
赞一下 回复此楼
13楼2015-03-30 21:55:07
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