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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【讨论】材料的带隙是怎样影响FET器件的开关比的？
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yzzzwei

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有带隙就是说能带中有禁带，如果费米面落于禁带中，那么当源漏极两端的电势差小于禁带宽度时，由于沟道中没有电子通过的通道，器件不能导通，电流为零，当然由于温度的存在，费米面会展宽，电流可能不会为零，但比较小；而当源漏电压超过禁带宽度，这导通，电流比较大，这一大一小的比就是开关比。石墨烯没有带隙，导带和价带重合于一个点（Dirac点），所以开关比很小。
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11楼2012-08-31 18:57:53
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yanleo

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5楼: Originally posted by fengyang5 at 2010-10-29 15:18:41
同意，现在已有文章通过改性使之成为半导体性的...

请问您有这篇改性成为半导体的文章吗，全名是什么呢？谢谢
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12楼2015-03-30 13:37:37
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fengyang5

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引用回帖:
11楼: Originally posted by yzzzwei at 2012-08-31 18:57:53
有带隙就是说能带中有禁带，如果费米面落于禁带中，那么当源漏极两端的电势差小于禁带宽度时，由于沟道中没有电子通过的通道，器件不能导通，电流为零，当然由于温度的存在，费米面会展宽，电流可能不会为零，但比较 ...

嗯 说的好
还想请教你一个问题 材料的耐电压大小与禁带宽度关联，还是与其费米面的位置相关，感觉有点理不清
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13楼2015-03-30 21:55:07
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