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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 【求助】问下光刻工艺中"侧壁角"的问题
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senpeng

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】问下光刻工艺中"侧壁角"的问题

各位高手,请问侧壁角是什么原因造成的?光刻胶厚度越大,侧壁角有没有什么变化?如果是接触式曝光,光刻胶表面图形比掩模版大和侧壁角问题有没有关系?

谢谢
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光刻胶

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1楼 2010-01-25 14:53:23
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Sduwl

银虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
我也正在解决类似的问题
这个现象应该跟用的胶也有关系
诚如2楼所言，接触式曝光过程中衍射对光刻胶深度方向的曝光量有很大的影响

但是好像进口的胶如AZ的都能够得到近似垂直的侧壁

不知道楼主的胶厚是多少？
如果超过20um的话是不是应该尝试负胶
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3楼2010-02-05 14:51:57
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quanbaogang

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
一般来讲光学曝光受衍射现象的影响很大，特别是接触式光刻。另一方面是由于光刻胶对光有吸收，上面的胶吸收大。从这两方面来看，对于正胶，显影之后会出现over-cut。这就是你说的侧壁角的形成。
侧壁角应该在一定程度上与胶厚成正比，所以选择涂比较薄的胶可能会好些。
最后的问题没有看懂。什么是“光刻胶表面图形比掩模板大”？由于存在衍射，越是密集的细线条就越难获得陡直的剖面，所以侧壁角的控制要看你想得到多大线宽的结构和线条之间的间距了。
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2楼2010-02-05 14:25:41
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