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【讨论】烧结温度大概在什么范围
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| 用正硅酸乙酯水解聚合制备SiO2薄膜，烧结温度是在400-450℃。现在我用1，2-二三乙氧基硅烷乙烷制备薄膜，不知道烧结温度是多少，虽然有氮气保护，但是还是担心温度太高可能会将薄膜中的-CH2-CH2-破坏，请问各位大侠，我该烧结温度为多少？ |
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