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nightfox01银虫 (初入文坛)
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[交流]
【讨论】烧结温度大概在什么范围
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| 用正硅酸乙酯水解聚合制备SiO2薄膜,烧结温度是在400-450℃。现在我用1,2-二三乙氧基硅烷乙烷制备薄膜,不知道烧结温度是多少,虽然有氮气保护,但是还是担心温度太高可能会将薄膜中的-CH2-CH2-破坏,请问各位大侠,我该烧结温度为多少? |
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8楼2009-12-10 09:36:25
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nightfox01(金币+1):谢谢参与
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