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[交流]
PECVD生长二氧化硅气压不稳定
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求助各位虫友，在用PECVD生长二氧化硅薄膜发现腔体气压不稳定，一直在升高。腔体反应气体为SiH4和N2O，流量为10：100 SCCM，腔体气压在反应前稳定在100 Pa，但是打开电源开始反应后，气压就一直在上升，这个一般是什么问题导致的？ |
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这种情况我遇见过类似的，射频电源的工作状态可能不稳定，影响等离子体的产生和维持，进而影响反应过程，可能导致气体消耗速率降低，从而增加腔体气压 发自小木虫Android客户端 |
13楼2024-06-14 11:08:05
chenhuanlong
禁虫 (文学泰斗)
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本帖内容被屏蔽 |
5楼2023-03-22 16:03:03
8楼2023-03-27 23:34:05
10楼2024-04-29 17:37:16
简单回复
tzynew2楼
2023-03-22 14:19
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o 发自小木虫Android客户端
toppaper4楼
2023-03-22 15:08
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2023-03-26 18:04
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赞 发自小木虫IOS客户端
XG-WUST9楼
2023-03-28 20:56
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up 发自小木虫IOS客户端
lds2029711楼
2024-05-05 07:26
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！！ 发自小木虫IOS客户端
lds2029712楼
2024-06-01 07:39
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lds2029714楼
2024-09-29 07:59
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