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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » PECVD生长二氧化硅气压不稳定
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秒速大大

铜虫 (小有名气)

[交流] PECVD生长二氧化硅气压不稳定

求助各位虫友，在用PECVD生长二氧化硅薄膜发现腔体气压不稳定，一直在升高。腔体反应气体为SiH4和N2O，流量为10：100 SCCM，腔体气压在反应前稳定在100 Pa，但是打开电源开始反应后，气压就一直在上升，这个一般是什么问题导致的？
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1楼 2023-03-22 14:04:21
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chenhuanlong

禁虫 (文学泰斗)
★
秒速大大(金币+1): 谢谢参与
本帖内容被屏蔽
5楼2023-03-22 16:03:03
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379343274

木虫 (正式写手)
★
秒速大大(金币+1): 谢谢参与
看看蝶阀控压有没有问题，另外排查一下MFC 是否正常，还有泵的问题

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8楼2023-03-27 23:34:05
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那片香茗

新虫 (小有名气)
★
秒速大大(金币+1): 谢谢参与
把比例设成30：100试试。
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10楼2024-04-29 17:37:16
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加纳居士

新虫 (初入文坛)
★
秒速大大(金币+1): 谢谢参与
这种情况我遇见过类似的，射频电源的工作状态可能不稳定，影响等离子体的产生和维持，进而影响反应过程，可能导致气体消耗速率降低，从而增加腔体气压

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13楼2024-06-14 11:08:05
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tzynew2楼
2023-03-22 14:19   回复  
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xiaoqiuqiu203楼
2023-03-22 14:33   回复  
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toppaper4楼
2023-03-22 15:08   回复  
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nono20096楼
2023-03-26 16:49   回复  
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·
lvzhiqing7楼
2023-03-26 18:04   回复  
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XG-WUST9楼
2023-03-28 20:56   回复  
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lds2029711楼
2024-05-05 07:26   回复  
秒速大大(金币+1): 谢谢参与
！！ 发自小木虫IOS客户端
lds2029712楼
2024-06-01 07:39   回复  
lds2029714楼
2024-09-29 07:59   回复  
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