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[交流]
PECVD生长二氧化硅气压不稳定
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求助各位虫友,在用PECVD生长二氧化硅薄膜发现腔体气压不稳定,一直在升高。腔体反应气体为SiH4和N2O,流量为10:100 SCCM,腔体气压在反应前稳定在100 Pa,但是打开电源开始反应后,气压就一直在上升,这个一般是什么问题导致的? |
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chenhuanlong
禁虫 (文学泰斗)
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5楼2023-03-22 16:03:03
8楼2023-03-27 23:34:05
10楼2024-04-29 17:37:16
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这种情况我遇见过类似的,射频电源的工作状态可能不稳定,影响等离子体的产生和维持,进而影响反应过程,可能导致气体消耗速率降低,从而增加腔体气压 发自小木虫Android客户端 |
13楼2024-06-14 11:08:05
简单回复
tzynew2楼
2023-03-22 14:19
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o 发自小木虫Android客户端
2023-03-22 14:33
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toppaper4楼
2023-03-22 15:08
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nono20096楼
2023-03-26 16:49
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2023-03-26 18:04
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赞 发自小木虫IOS客户端
XG-WUST9楼
2023-03-28 20:56
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lds2029711楼
2024-05-05 07:26
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!! 发自小木虫IOS客户端
lds2029712楼
2024-06-01 07:39
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lds2029714楼
2024-09-29 07:59
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