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yxmzs001

新虫 (小有名气)

[求助] 求助,高熵合金涂层的电化学阻抗,在相位角图中的高频位置相位角变大,是什么原因?已有1人参与

在金属基体上熔覆制备了FeCoCrNi、FeCoCrNiMn、FeCoCrNiCu、FeCoCrNiTi四种高熵合金涂层。通过电化学测试了涂层的阻抗图谱。
有个问题:为什么在相位角图中,高频位置(10-5)的相位角会变的很大?
虚心求教,有思路就对我的帮助很大了,谢谢大家!

求助,高熵合金涂层的电化学阻抗,在相位角图中的高频位置相位角变大,是什么原因?
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season7865

木虫 (著名写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by yxmzs001 at 2022-12-13 21:23:36
嗯,书中小节内容看完了。我的样品测试符合浸泡中期的EIS模型,且拟合电路也相同。但是,书中的内容针对的是金属基体上的有机涂层,而我的样品是金属基体上的金属涂层,金属涂层是致密的合金。
书中对于相位角大的 ...

差不多就是这个意思。高频高相位角是体系内大电阻小电容引起的。除了部分贵金属,金属在环境中都要考虑表面氧化膜的影响,氧化物膜导电性差,所以电阻较大。
另外一个问题是小电容,这个可以继续看6.1.5节

发自小木虫Android客户端
myeyesareopen
11楼2022-12-13 21:55:05
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yxmzs001

新虫 (小有名气)

求前辈们指教,有思路的话就对我帮助很大了!
2楼2022-12-13 15:49:09
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season7865

木虫 (著名写手)

是浸泡时间较短的阻抗谱吗?

发自小木虫Android客户端
myeyesareopen
3楼2022-12-13 16:31:55
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yxmzs001

新虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by season7865 at 2022-12-13 16:31:55
是浸泡时间较短的阻抗谱吗?

浸泡时间大体上一样,不同样品的浸泡时间上不会差太多
4楼2022-12-13 17:34:15
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