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shinejesse金虫 (小有名气)
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yuzhan
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没十分看懂你的问题。捡看得懂的回答。 解吸 (desorption) 是指样品从附着的表面脱离，是在电喷雾过程中实现的，与In-source CID没什么关系。关于desorption的定义请见 wiki http://en.wikipedia.org/wiki/Desorption 如果有时间，请仔细研究我上面提到的vertes的论文，尤其是那几张图，仔细看看。那篇论文是那一期AC的封面，那几张照片也是到现在为止最清晰最漂亮的ESI过程的照片。注意分清楚溶液（sample solution），液滴（droplet），与离子（ion）的区别，仔细看看吧。会对你正确全面理解ESI过程有帮助的。 “脱溶剂气”是指nebulizing gas 还是 curtain gas呢？印象中z-spray不采用curtain gas，你应该指的是nebulizing gas吧？ “貌似效果不好呀”指的是什么效果呢？declustering？有什么实例可以支持一下你的结论吗？我的建议是降低喷雾电压，增加样品流速，再试试是否可以减少cluster。你的是什么样品啊？有的样品的dimer、trimer等的信号就是比monomer的强。 PS：你的是什么仪器啊？我一直以为是thermo的tsq，但是你说你有z-spray。 |
13楼2009-09-07 21:14:58
shinejesse
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CID 英文是 collision－induced dissociation 碰撞诱导解离。通常在真空接口处调节电压发生CID现象，一般是去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。这是一级质谱的原理。CAD collision-activated dissociation 碰撞活化解离。 做二级质谱时，应该是发生在Q2处吧，选择的母离子的进入Q2后 碰撞活化产生子离子，这个过程称为 CAD。 我们用的API3200，CID指的是Q0里面的诱导碰撞的气体，CAD指的是Q3里面的诱导碰撞气体，也就是说，API里的CID&CAD都是指氮气。 还有一种叫作：源内CID 在串联质谱还不普及的三年前，很多人夸大单级质谱的作用，比如：单级四极杆、LC-TOF、MALDI-TOF，说，液质你不是只看到分子离子峰么？你不是需要更多的碎片信息么？这里，我就可以做CID（其实是源内CID），给你想要的碎片。然后，他就拿一张标样的图，给你show一下，显示低电压时是分子离子峰，提高skimmer或orifice电压后，就可以得到碎片峰。 后来，人们在真正实验中，认识到我们其实不是在做标样，液质的基质干扰和溶剂本底干扰很大，如果不分离出要的离子，直接作CID，会给出一系列不能解释的峰。 所以，现在大家都喜欢LCMSMS了。 在串联四极杆中，源内CID指在离子源内加一定的电压（Source CID），对化合物的离子化进行优化，可减弱溶剂加合离子的影响。 对于Thermo的TSQ仪器，Source CID建议设置在8-12之间，此外加不加Source CID对信号影响应在20％左右，否则可能是仪器出现问题的征兆。 源内CID不能取代LC-MS-MS（即真正的CID或CAD） |
2楼2009-09-05 22:25:07
3楼2009-09-06 11:22:11
shinejesse
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4楼2009-09-06 15:24:15
