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clwang木虫 (正式写手)
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| ITO薄膜作为PTCDA/Si--有机/无机光电探测器的阳极时，衬底材料为不耐高温的有机物，ITO薄膜需在低温下淀积。本文通过射频磁控溅射在玻璃衬底表面淀积ITO透明导电薄膜，通过四探针和紫外可见-近红外光谱试仪分别测量薄膜的导电性、透光率。实验结果表明：随着溅射过程压力的升高，薄膜的透过率和电阻率都会逐渐变差；随着溅射功率的增大，薄膜的电阻率会变好但是透过率会变差；氧气分压的增加虽然在一定程度上有助于薄膜透过率的提高，同时导致薄膜的电阻率的增加；但对薄膜进行高温下的退火则会很好的降低薄膜的电阻率。结论：在低温下制备ITO薄膜的优化工艺条件为：溅射气压为0.45Pa，功率为45W，溅射时以氧气作为反应气体，不需对成品器件进行退火处理。 |
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