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tzhnet木虫 (正式写手)
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[交流]
【请教】取向生长
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本人有个小小的 概念搞的不是很明白， 再此向大家请教一下： 做薄膜材料的时候，薄膜式沉积在衬底上的，沉积是要分物理沉积和化学沉积，也就是物理吸附和化学吸附。 问题：薄膜在衬底上取向生长，应该是 物理吸附还是化学吸附，薄膜的取向生长，列如：si（001）面取向生长，代表什么意思 。 这种趋向生长和材料的那些性能有关系， 和材料的极化有关系吗？电学性能呢？ 谢谢 |
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国社科又开始会评了，不知道这次命运如何
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同意以上各楼意见。关于 薄膜的择优取向 1。对于有取向 的基体，条件合适的话，薄膜会外延基体的取向； 2。没有明显取向的基体，如果有足够结晶能量，薄膜通常会选择能量较低的简单米勒指数面作为择优生长方向。立方晶体，通常是111面，六方晶体通常是0001面； 3。膜的晶体取向会随着薄膜厚度的变化有所变化。对于立方晶薄膜，可能初始时，111取向，随膜厚增加，可能逐渐变为100取向，甚至110取向，到最后会演变成没有明显择优取向； 4。膜的晶体取向还会随着沉积条件，也就是沉积粒子的能量的变化而变化。沉积粒子能量很低时，可能无法结晶，为非晶膜，能量足够高时，出现晶态，首先是能量最低的111面取向，能量再高会出现100取向，再高110取向也会出现 5。膜的晶体取向还会随着基体温度有所变化。 膜的择优取向的变化，实际上就是一个能量的变化的问题，膜能够充分利用自己的能量进行结构的构置 |
10楼2009-09-07 10:03:57
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2楼2009-08-07 10:57:24
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7楼2009-09-05 10:21:53
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PVD，CVD不是指的在衬底表面的吸附方式。而是指成膜方式，如溅射，蒸镀，都是采用物理的方法将原子或者分子“赶出”靶材在基片沉膜，入ALD,MBE,PECVD都是指通入两种反应气体反应成膜，而SOL-GEL也是化学的过程制备前驱体，然后退火除去不必要的元素成膜。 膜与衬底之间的生长方式有层状，岛状，层+岛状，这些生长方式决定了他们的膜的生长取向。 而非晶与晶态一要看膜是否获得了足够的晶化能量，决定是晶态还是非晶态，二要生长过程中产生的缺陷等等，决定了单晶膜还是多晶膜。 至于材料本身的性能则要看在哪种结构与形态下你所需要的性能能达到最好，而无定论。 若要了解更多的薄膜技术的知识欢迎到 http://bbs.coatingdata.com/index.aspx，下载资料 |
9楼2009-09-05 19:37:34
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