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使用202负胶后镀Cr的lift-off工艺中Cr两侧长墙大家有遇到过吗？有解决方法吗？ 已有1人参与
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| 在硅片基底上用正胶+lor（1um）做的光刻，线宽10um，然后镀100nm的Cr剥离，用SEM观测发现所镀Cr两边的侧壁长出了一道墙，像是延光刻胶长出来，不知道有没有解决方法。 |
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