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tt66tt55

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[求助] 使用202负胶后镀Cr的lift-off工艺中Cr两侧长墙大家有遇到过吗?有解决方法吗?已有1人参与

在硅片基底上用正胶+lor(1um)做的光刻,线宽10um,然后镀100nm的Cr剥离,用SEM观测发现所镀Cr两边的侧壁长出了一道墙,像是延光刻胶长出来,不知道有没有解决方法。
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babyoflion

金虫 (著名写手)

这个不是很普通的剥离工艺么?还至于用到双层胶?

发自小木虫Android客户端
2楼2020-12-25 11:34:59
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tt66tt55

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引用回帖:
2楼: Originally posted by babyoflion at 2020-12-25 11:34:59
这个不是很普通的剥离工艺么?还至于用到双层胶?

大线宽可以用负胶解决,小线宽只能用这种工艺。大线宽有这类问题现在小线宽也不敢做了。
3楼2020-12-28 16:38:06
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babyoflion

金虫 (著名写手)

好吧,你想要小线宽是多小?10u随便做啊

发自小木虫Android客户端
4楼2020-12-28 17:53:11
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逐步成长

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

10um线宽已经够大的了,直接单层正胶就可以了
5楼2021-01-12 15:26:24
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