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银虫 (初入文坛)

[求助] 如何减少SiC单晶相变？

最近在做SiC晶体方面的课题，用单晶炉生长4H-SiC。但是经常能够出现6H或是15R相变，还有大量的贯穿微管。翻了不少书籍，也做了不少调整尝试，仍然不是很得要领。请各位大神指点，如何才能尽可能减少相变呢？

地上的苦难是我等的食粮，苦难之后达神圣殿堂，苦难之后去往乐园。

1楼 2020-07-13 15:19:00

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铜虫 (小有名气)

碳化硅这几种polytype能量接近很容易乱长。不知道你是什么方法，建议用off基板做外延。

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2楼2020-09-30 01:51:21

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新虫 (初入文坛)

请问楼主还在做碳化硅单晶吗，有相同困扰，可以交流一下吗

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3楼2023-08-18 09:12:42

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